[发明专利]热增强型封装和其制作过程在审
申请号: | 201980090320.1 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN113366616A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 朱利奥·C·科斯塔;乔治·马克西姆 | 申请(专利权)人: | QORVO美国公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/433;H01L23/367;H01L25/065 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 石磊 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增强 封装 制作 过程 | ||
1.一种设备,其包括:
●载体,所述载体具有顶表面;
●第一经减薄管芯,所述第一经减薄管芯包括所述载体的所述顶表面之上的第一装置层和所述第一装置层之上的第一介电层;
●第一模制化合物,所述第一模制化合物位于所述载体的所述顶表面上、围绕所述第一经减薄管芯并且延伸到所述第一经减薄管芯的顶表面之外以在所述第一模制化合物内和所述第一经减薄管芯之上限定第一开口,其中:
●所述第一模制化合物不位于所述第一经减薄管芯之上并且提供所述第一开口的竖直壁,所述竖直壁在X方向和Y方向两者上与所述第一经减薄管芯的边缘对齐;
●所述X方向和所述Y方向平行于所述载体的所述顶表面,并且所述X方向和所述Y方向彼此正交;并且
●所述第一经减薄管芯的所述顶表面处于所述第一开口的底部处;以及
●第一除热器的至少一部分,所述至少一部分插入到所述第一开口中并且与所述第一经减薄管芯热接触,其中所述第一除热器由金属或合金形成。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一除热器通过附接层附接到所述第一经减薄管芯,所述附接层由由导热环氧树脂、导热硅酮或氧化铝热粘合剂组成的组中的一种形成。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一除热器的X方向尺寸和Y方向尺寸两者与所述第一经减薄管芯的X方向尺寸和Y方向尺寸基本上相同。
4.根据权利要求3所述的设备,其中
●所述第一除热器完全填充所述第一开口;并且
●所述第一除热器的顶表面和所述第一模制化合物的顶表面基本上处于同一平面。
5.根据权利要求3所述的设备,其中所述第一除热器的顶表面低于所述第一模制化合物的顶表面。
6.根据权利要求5所述的设备,其进一步包括:第二除热器,其中,
●所述第二除热器的至少一部分插入在所述第一开口中并且处于所述第一除热器之上;并且
●所述第二除热器、所述第一除热器和所述第一经减薄管芯热连接。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述第二除热器通过附接层附接到所述第一除热器,所述附接层由由导热环氧树脂、导热硅酮或氧化铝热粘合剂组成的组中的一种形成。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一经减薄管芯进一步包括多个互连件,所述多个互连件从所述第一装置层的底表面延伸到所述载体的所述顶表面。
9.根据权利要求8所述的设备,其进一步包括:底部填充层,所述底部填充层位于所述第一模制化合物与所述载体的所述顶表面之间并且在所述第一装置层的所述底表面与所述载体的所述顶表面之间对所述第一经减薄管芯进行底部填充。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述底部填充层由与所述第一模制化合物相同的材料形成。
11.根据权利要求8所述的设备,其中所述载体包括所述载体的底表面处的多个天线贴片,其中所述多个天线贴片中的每个天线贴片电连接到对应互连件。
12.根据权利要求1所述的设备,其中所述载体是由以下组成的组中的一种:层压载体、晶圆级扇出型(WLFO)载体、晶圆级扇入型(WLFI)载体、引线框架和陶瓷载体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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