[发明专利]液晶介质在审
申请号: | 201980090545.7 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN113366087A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | R·图芬;M·布雷默;M·罗伊特 | 申请(专利权)人: | 默克专利股份有限公司 |
主分类号: | C09K19/34 | 分类号: | C09K19/34;C09K19/30;C09K19/12 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 姜煌 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 介质 | ||
1.一种液晶介质,其特征在于其包含一种或多种式IA化合物:
其中:
R11及R12相同或不同地表示H、具有1至15个C原子的烷基或烷氧基,其中这些基团中的一个或多个CH2基团任选地彼此独立地经-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CH-、-O-、-CO-O-或-O-CO-以O原子彼此不直接连接的方式替代,且其中一个或多个H原子可经卤素替代,
及
一种或多种式BS化合物:
其中:
alkyl及alkyl*相同或不同地表示具有1至7个C原子的烷基,其中一个或多个CH2基团可经替代。
2.根据权利要求1的介质,其中式IA中的基团R12表示具有1至7个C原子的烷氧基。
3.根据权利要求1或2的介质,其中一种或多种式IA化合物的总浓度是在1重量%至25重量%的范围内且其中一种或多种式BS化合物的总浓度是在7重量%至20重量%的范围内。
4.根据权利要求1至3中一项或多项的液晶介质,其中该介质具有在20℃及589.3nm的波长下测量的0.110或更高的双折射率。
5.根据权利要求1至4中一项或多项的液晶介质,其中该介质具有在-4.5至-12.0的范围内的介电各向异性。
6.根据权利要求1至5中一项或多项的介质,其中该介质包含选自式IIA、IIB、IIC及IID化合物的组的一种或多种化合物:
其中:
R2A、R2B、R2C及R2D各彼此独立地表示H、具有至多15个C原子的烷基或烯基,其是未经取代、经CN或CF3单取代或经卤素至少单取代且其中这些基团中的一个或多个CH2基团可经-O-、-S-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O原子彼此不直接连接的方式替代,
L1至L4各彼此独立地表示F或Cl,
Z2、Z2B及Z2D各彼此独立地表示单键、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、-CH=CHCH2O-,
p表示0、1或2,
q表示0或1,及
v表示1至6。
7.根据权利要求1至6中一项或多项的液晶介质,其中该介质另外包含选自式O-1至O-18化合物的组的一种或多种化合物:
其中:
R1及R2各彼此独立地具有权利要求6中针对R2A指示的含义。
8.根据权利要求1至7中一项或多项的液晶介质,其特征在于该介质另外包含选自式T-1至T-21化合物的组的一种或多种化合物:
其中:
R表示具有1至6个C原子的直链烷基或烷氧基,
(O)表示-O-或单键,
m是0、1、2、3、4、5或6及
n是0、1、2、3或4。
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