[发明专利]钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、及使用了其的引线接合结构、半导体装置以及其制造方法

权利要求书

1.一种钯覆盖铜接合线，其是具有以铜作为主要成分的芯材和所述芯材上的钯层并且含有硫族元素的钯覆盖铜接合线，

所述钯覆盖铜接合线相对于铜、钯及硫族元素的合计，包含：1.0质量％～4.0质量％的钯、及合计为50质量ppm以下的硫族元素，并且包含：5.0质量ppm～12.0质量ppm的硫、5.0质量ppm～20.0质量ppm的硒、或15.0质量ppm～50.0质量ppm的碲，

在所述钯覆盖铜接合线的截面的晶体面中的引线长度方向的晶体取向hkl之中，100取向比率的总计为15％以上，并且111取向比率为50％以下，所述100及111取向包含相对于所述引线长度方向角度差为15°以内的取向，

在所述钯覆盖铜接合线上形成无空气球时，在所述无空气球的距离前端部分的表面为5.0nm～100.0nm的深度方向的范围内，观测到相对于铜与钯的合计包含6.5原子％～30.0原子％钯的钯富集区域。

2.根据权利要求1所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述芯材相对于所述芯材的整体包含合计1质量ppm～3质量％的选自P、Au、Pd、Pt、Ni、Ag、Rh、In、Ga及Fe中的1种以上的微量元素。

3.根据权利要求1或2所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述芯材包含选自P、Au、Pd、Pt、Ni、Ag、Rh、In、Ga及Fe中的1种以上的微量元素，并且所述芯材含有：

包含0.05质量％～3质量％的Au、Pd、Pt、Ni及Rh中的至少任一者的所述微量元素；

包含0.01质量％～0.7质量％的In、Ga中的至少任一者的所述微量元素；

包含5质量ppm～500质量ppm的P的所述微量元素；或

包含1质量ppm～100质量ppm的Ag、Fe中的至少任一者的所述微量元素。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述钯覆盖铜接合线相对于铜、钯及硫族元素的合计包含1.0质量％～2.5质量％的所述钯层来源的钯。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述钯覆盖铜接合线具有10μm～25μm的直径。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述无空气球通过在氮与氢的混合气体的存在下对所述钯覆盖铜接合线施加65mA的放电电流而形成，并且具有所述钯覆盖铜接合线的直径的1.8倍的直径。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述钯富集区域的钯浓度通过下述的条件下的俄歇电子分光分析来测定：

一次电子射线的加速电压：10kV、

由设定值算出的测定区域：15μm²～20μm²、

溅射用氩离子的加速电压：1kV、

溅射速度：2.5nm/分钟(SiO₂换算)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，在所述钯层上具有金的层。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述钯覆盖铜接合线相对于该引线整体包含6.0质量ppm～10.0质量ppm的硫(S)。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述钯覆盖铜接合线相对于该引线整体包含6.0质量ppm～15.0质量ppm的硒(Se)。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述钯覆盖铜接合线相对于该引线整体包含16.0质量ppm～45.0质量ppm的碲(Te)。