[发明专利]用于多模式制品接口的报告设备

权利要求书

1.一种报告设备，包括第一供电线和第二供电线以及操作单元，当所述第一供电线和所述第二供电线耦合到所述操作单元时，所述操作单元能够在所述第一供电线和所述第二供电线之间的第一电位差下操作，所述报告设备还包括通信接口，当所述第一供电线和所述第二供电线以第二电位差电平耦合到所述通信接口时，所述通信接口能够操作用于在所述第一供电线和所述第二供电线之间发送或接收电通信信号，所述第二电位差电平低于所述第一电位差电平。

2.根据权利要求1所述的报告设备，其中，通过操作单元电压调制器的操作，所述操作单元可切换地耦合在所述第一供电线和所述第二供电线之间，所述操作单元电压调制器被配置为当所述第一供电线和所述第二供电线之间的电位差超过第一阈值电压时，将所述操作单元耦合在所述第一供电线和所述第二供电线之间，所述第一阈值电压大于所述第二电位差。

3.根据权利要求2所述的报告设备，其中，所述设备包括第一MOSFET晶体管，所述第一MOSFET晶体管的栅极耦合到耦合在所述第一供电线与所述第二供电线之间的参考电路，由此所述参考电路适于在达到所述第一供电线与所述第二供电线之间的预定电压时启动所述第一MOSFET，以便将所述操作单元耦合在所述第一供电线和所述第二供电线之间。

4.根据权利要求3所述的报告设备，其中，所述参考电路包括耦合在所述第一供电线与所述第二供电线之间的电阻和第一齐纳二极管，并且其中，所述第一MOSFET的所述栅极耦合到所述电阻与所述第一齐纳二极管之间的连接。

5.根据权利要求1或2所述的报告设备，其中，通过通信接口电压调制器的操作，所述通信接口单元可切换地耦合在所述第一供电线和所述第二供电线之间，所述通信接口电压调制器被配置为当所述第一供电线和所述第二供电线之间的电位差低于第一阈值电压时，将所述通信接口单元耦合在所述第一供电线和所述第二供电线之间，所述第一阈值电压低于所述第一电位差。

6.根据权利要求5所述的报告设备，其中，所述设备包括第二MOSFET晶体管，所述第二MOSFET晶体管的栅极耦合到耦合在所述第一供电线与所述第二供电线之间的参考电路，由此所述参考电路适于在达到所述第一供电线与所述第二供电线之间的预定电压时停用所述第二MOSFET，以便将所述通信接口与所述第一供电线和/或所述第二供电线解耦。

7.根据权利要求6所述的报告设备，其中，所述参考电路包括耦合在所述第一供电线与所述第二供电线之间的电阻和第二齐纳二极管，并且其中，所述第二MOSFET的所述栅极耦合到所述电阻与所述第二齐纳二极管之间的连接。

8.根据任一前述权利要求所述的报告设备，还包括耦合第一供电线和第二供电线的防电压反转电路。

9.根据任一前述权利要求所述的报告设备，包括另一开关器件，当在所述第一供电线和所述第二供电线之间存在比所述第一电位差大预定余量的电位差电平时，所述另一开关器件将所述操作单元与所述第一供电线或所述第二供电线隔离。

10.根据任一前述权利要求所述的报告设备，其中，所述通信接口适于借助于所述第一供电线和所述第二供电线之间的电信号经由所述第一供电线或所述第二供电线发送或接收数据和/或寻址信息，所述电信号具有小于或等于所述第二电位差电平的最大电压。

11.根据任一前述权利要求所述的报告设备，还包括在所述操作单元两端的防反向电流电路。

12.根据任一前述权利要求所述的报告设备，还包括耦合在所述第一供电线和所述第二供电线之间的能量储存器，所述能量储存器被配置为存储来自所述第一供电线和所述第二供电线的能量，并且向所述通信接口提供能量。