[发明专利]三维电路的形成

权利要求书

1.一种由具有第一层和第二层的基板和位于所述第一层与所述第二层之间的导体形成电路的方法，包括：

去除所述第一层的部分、所述导体的部分和所述第二层的部分以形成第一腔体；

在所述第一腔体中沉积阻隔材料；

去除所述阻隔材料的第一部分和所述第一层的接近所述阻隔材料的第一部分的部分以形成第二腔体；以及

用金属镀覆所述第二腔体的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二腔体的表面包括阻隔表面和非阻隔表面，并且其中，所述金属不镀到所述阻隔表面。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其中，所述非阻隔表面包括所述导体的部分和所述第一层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，将所述金属镀到所述非阻隔表面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二腔体的表面包括将第一非阻隔表面和第二非阻隔表面分开的阻隔表面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述金属镀到第一非阻隔表面和第二非阻隔表面上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，还包括：

去除所述阻隔材料的第二部分和所述第二层的接近所述阻隔材料的部分以形成第三腔体；以及

用所述金属镀覆所述第三腔体的表面。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二腔体的表面包括阻隔表面和非阻隔表面，并且其中，所述金属镀覆到所述非阻隔表面而不是所述阻隔表面。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，还包括去除所镀金属的至少一部分。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，还包括去除至少所述第一层或所述第二层的靠近所述导体的第二部分。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述第一腔体形成沟槽、盲孔或通孔中的至少一个。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述阻隔材料是金属镀阻滞剂。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，还包括去除所述阻隔材料的第二部分和所述第一层的靠近所述阻隔材料的第二部分的另一部分以形成第三腔体的步骤，其中，所述第三腔体通过所述阻隔材料与所述第二腔体隔开。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，形成所述第二腔体的步骤进一步包括去除所述第二层的靠近所述阻隔材料的第一部分的部分，并且其中，所述第二腔体的被镀表面包括第一层的表面和第二层的表面。

15.一种电路板，包括通过阻隔材料与第二导体隔开的第一导体。

16.根据权利要求15所述的电路板，其中，所述阻隔材料阻隔化学镀。

17.根据权利要求15或16中任一项所述的电路板，其中，所述阻隔材料使化学镀催化剂失活。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的电路板，其中，所述第一导体或所述第二导体的至少一个进一步电耦接到至少一个附加导体层。

19.根据权利要求15至18中任一项所述的电路板，其中，所述第一导体或所述第二导体的至少一个至少部分地位于沟槽、盲孔、埋孔或通孔中。