[发明专利]层叠造型用Ni基耐腐蚀合金粉末、使用所述粉末的层叠造型品的制造方法在审
申请号: | 201980093172.9 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN113490558A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 太期雄三;菅原克生 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | B22F1/00 | 分类号: | B22F1/00;B22F10/28;C22C19/05;B33Y10/00;B33Y70/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王蕊;臧建明 |
地址: | 日本东京港*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 造型 ni 腐蚀 合金 粉末 使用 制造 方法 | ||
课题在于提供适合用于层叠造型的Ni基耐腐蚀合金粉末、以及使用所述粉末的耐腐蚀性优异且缺陷少的层叠造型品的制造方法,包含具有如下成分组成的Ni基合金的粉末,所述Ni基合金粉末的安息角设为48度以下,所述成分组成是以质量%计含有Cr:14.5%~24.0%、Mo:12.0%~23.0%、Fe:0.01%~7.00%、Co:0.001%~2.500%、Mg:超过0%~0.010%、N:超过0%~0.040%、Mn:0.001%~0.50%、Si:0.001%~0.200%、Al:超过0%~0.50%、Ti:0.001%~0.500%、Cu:超过0%~0.250%、V:0.001%~0.300%、B:0.0001%~0.0050%、Zr:0.0001%~0.0200%、O:0.0010%~0.0300%,剩余部分为Ni和作为不可避免的杂质含有的C:小于0.05%、S:小于0.01%和P:小于0.01%。
技术领域
本发明涉及例如在湿润腐蚀环境等腐蚀环境下使用的构件、以及处理HCl、Cl2、HF、F2、NF3、ClF3和HBr等具有强腐蚀性的卤素系气体的半导体制造装置中与这些气体直接接触的构件等,涉及用于将所述构件层叠造型所需的层叠造型用Ni基耐腐蚀合金粉末和使用所述粉末的层叠造型品的制造方法。
背景技术
一般而言,对在化工厂、制药、半导体制造工艺等中使用的构件要求可耐受腐蚀环境的耐腐蚀性。其中,在半导体制造工艺中,使用带来特别恶劣的腐蚀环境的HCl、Cl2、HF、F2、NF3、ClF3和HBr等卤素系气体,作为半导体制造工艺气体,使用超高纯度化的气体。随着半导体的微细化和3D化等高精细化的发展,因由腐蚀性气体引起的金属构件的腐蚀而导致颗粒的容许尺寸变小,对构成装置构件或配管构件的金属材料的耐腐蚀性的要求变得严格。因此,通过Ni的含量最多且含有15质量%左右以上的Cr或Mo,可实现从以往的SUS316L向耐腐蚀性更优异的所谓Ni基耐腐蚀合金的材料升级。
例如,如专利文献1所示,作为半导体制造装置中的超高纯度气体控制用耐腐蚀性阀的波纹管构件,提出了使用以质量%(以下,%表示质量%)计包含Ni:50%以上、Cr:14.5%~16.5%、Mo:15.0%~17.0%、W:3.0%~4.5%、Fe:4.0%~7.0%、低碳、低硅的Ni基合金或者包含Ni:50%以上、Cr:20.0%~22.5%、Mo:12.5%~14.5%、W:2.5%~3.5%、Fe:2.0%~6.0%、低碳、低硅的Ni基合金。
另外,作为同样地在半导体制造工艺用超高纯度气体制造装置和半导体制造装置中使用的超高纯度气体控制用阀的波纹管构件,提出了作为UNS N06625(相当于因科耐尔(Inconel)625(注册商标))而已知的Ni基合金(包含Ni:58%以上、Cr:20%~23%、Fe:5.0%以下、Mo:8.0%~10.0%、Nb(+Ta):3.15%~4.15%、低碳、低硅的Ni基合金)、作为UNS N10276(相当于哈斯特洛伊(Hastelloy)C276(注册商标))而已知的Ni基合金(包含Ni:50%以上、Cr:14.5%~16.5%、Mo:15.0%~17.0%、W:3.0%~4.5%、Fe:4.0%~7.0%、低碳、低硅的Ni基合金)、以及作为UNS N06022(相当于哈斯特洛伊(Hastelloy)C22(注册商标))而已知的Ni基合金(包含Ni:50%以上、Cr:20%~22.5%、Mo:12.5%~14.5%、W:2.5%~3.5%、Fe:2.0%~6.0%、低碳、低硅的Ni基合金)等Ni基合金。
再者,表示所述Ni合金的合金种类的“UNS”是ASEHS-1086与ASTMDS-566中规定的“统一编号系统(Unified Numbering System)”,所述N06625、N10276、N06022、(后述的)N07718等为其中登记的合金的固有编号。
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