[发明专利]使用半导体发光元件的显示装置有效

专利信息
申请号: 201980093620.5 申请日: 2019-12-04
公开(公告)号: CN113519060B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 崔主赞 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L27/12;H01L29/786;H01L33/42;H01L33/62
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 崔炳哲;向勇
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 半导体 发光 元件 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,其中,包括:

基板;

电源配线和接地配线,在所述基板上以彼此隔开的方式形成;

驱动TFT,形成在所述基板上,其源极端子与所述接地配线电连接;

至少一个绝缘层,形成在所述基板上;以及

一对组装电极,在所述至少一个绝缘层中的任意一个绝缘层和所述基板之间以彼此隔开的方式形成,

随着向所述一对组装电极中的任意一个组装电极施加电压,所述一对组装电极产生电场,

所述一对组装电极中的第一组装电极与所述电源配线电连接,

所述一对组装电极中的第二组装电极与所述接地配线电连接,

所述一对组装电极形成在所述基板上,

所述第一组装电极从所述电源配线延伸形成,

所述第二组装电极从所述接地配线延伸形成。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述至少一个绝缘层包括第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述基板、所述电源配线以及所述接地配线,

所述第一组装电极、所述第二组装电极以及所述源极端子形成在所述第一绝缘层上,

所述第一组装电极通过所述第一绝缘层中的形成在所述电源配线上的蚀刻区域与所述电源配线电连接,

所述第二组装电极从所述源极端子延伸形成,并通过所述第一绝缘层中的形成在所述接地配线上的蚀刻区域与所述接地配线电连接。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述至少一个绝缘层包括:

第一绝缘层,覆盖所述基板、所述电源配线以及所述接地配线;

第二绝缘层,覆盖所述第一绝缘层以及形成在所述第一绝缘层上的所述源极端子;以及

第三绝缘层,覆盖所述第二绝缘层以及形成在所述第二绝缘层上的所述第一组装电极和所述第二组装电极,

所述第一组装电极通过分别形成于所述电源配线上的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的蚀刻区域与所述电源配线电连接,

所述第二组装电极通过形成于所述接地配线上的所述第二绝缘层的蚀刻区域与所述源极端子和所述接地配线电连接。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

还包括组装在所述至少一个绝缘层上的半导体发光元件,

所述半导体发光元件位于所述一对组装电极上。

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,

还包括形成在所述至少一个绝缘层上的分隔壁,

所述分隔壁的一部分区域被去除,使得所述半导体发光元件的底面与所述至少一个绝缘层接触。

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,还包括:

第一配线,将形成于所述半导体发光元件的第一电极和所述电源配线电连接;以及

第二配线,将形成于所述半导体发光元件的第二电极和所述驱动TFT的漏极端子电连接。

7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,

所述第一配线通过蚀刻所述电源配线上的分隔壁和所述至少一个绝缘层而形成的第一沟槽区域来与所述电源配线电连接,

所述第二配线通过蚀刻所述漏极端子上的分隔壁和所述至少一个绝缘层而形成的第二沟槽区域来与所述漏极端子电连接。

8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,

所述第一配线和所述第二配线分别由透明电极实现。

9.根据权利要求4所述的显示装置,其中,

所述半导体发光元件包括具有磁性体的磁性层。

10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述至少一个绝缘层包括:

第一绝缘层,覆盖所述基板、所述电源配线以及所述接地配线;

第二绝缘层,覆盖所述第一绝缘层以及形成在所述第一绝缘层上的所述源极端子;以及

第三绝缘层,形成在所述第二绝缘层上,

所述第一组装电极和所述第二组装电极设置在所述第三绝缘层上。

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