[发明专利]膜结构体、压电体膜及超导体膜

权利要求书

1.一种膜结构体，其具备：

基板；

形成于所述基板上的、含氧化锆的具有四方晶的晶体结构的缓冲膜；

形成于所述缓冲膜上的、外延生长的含铂族元素的金属膜；以及

形成于所述金属膜上的、外延生长的含Sr(Ti_1-x，Ru_x)O₃的膜，其中，0≤x≤1。

2.根据权利要求1所述的膜结构体，其中，所述金属膜的厚度为20nm～150nm。

3.根据权利要求1或2所述的膜结构体，其中，所述缓冲膜进一步包含稀土元素或者碱土元素。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜结构体，其中，所述缓冲膜的表面积与平面相比为1.30～1.60。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的膜结构体，其中，所述基板在(100)面、(110)面、或者(111)面取向。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的膜结构体，其中，所述缓冲膜按照所述基板的取向而外延生长。

7.一种单晶的压电体膜，其形成在权利要求1至6中任一项所述的所述膜上。

8.根据权利要求7所述的压电体膜，其具有三方晶系的晶体结构。

9.根据权利要求8所述的压电体膜，其中，材料为BiFeO₃、LiNbO₃、或者LiTaO₃。

10.根据权利要求7所述的压电体膜，其具有六方晶系的晶体结构。

11.根据权利要求10所述的压电体膜，其中，材料为AlN。

12.根据权利要求7所述的压电体膜，其具有钨青铜型的晶体结构。

13.根据权利要求7所述的压电体膜，其具有铋层状型的晶体结构。

14.根据权利要求13所述的压电体膜，其中，材料为Bi₄Ti₃O₁₂或者(Bi_4-xLa_x)Ti₃O₁₂，其中，0≤x＜1。

15.根据权利要求7所述的压电体膜，其为由ABO₃表示的钙钛矿型氧化物。

16.根据权利要求7所述的压电体膜，其中，材料为钛酸锆酸铅。

17.根据权利要求16所述的压电体膜，其中，所述钛酸锆酸铅为Pb(Zr_0.3，Ti_0.7)O₃。

18.一种单晶的超导体膜，其形成在权利要求1至6中任一项所述的所述膜上。

19.根据权利要求18所述的超导体膜，其为铋系超导体。

20.根据权利要求19所述的超导体膜，其中，材料为Bi₂SrCa₂Cu₃O₁₀。

21.根据权利要求18所述的超导体膜，其为钇系超导体。

22.根据权利要求21所述的超导体膜，其中，所述钇系超导体的材料为YBa₂Cu₃O₇。