[发明专利]辐射检测装置及其制备方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在半导体衬底中形成凹部，其中所述半导体衬底的一部分延伸到所述凹部中并且被所述凹部包围；

将半导体纳米晶体沉积到所述凹部中，所述半导体纳米晶体具有与所述半导体衬底不同的组成；

在所述半导体衬底中形成第一掺杂半导体区；

在所述半导体衬底中形成第二掺杂半导体区；

其中所述第一掺杂半导体区和所述第二掺杂半导体区形成将所述半导体衬底的所述部分与所述半导体衬底的其余部分分开的p-n结。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一掺杂半导体区包围所述第二掺杂半导体区。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二掺杂半导体区与所述半导体衬底的所述部分电接触。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述形成所述第二掺杂半导体区，包括掺杂所述第一掺杂半导体区的一部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一掺杂半导体区从所述半导体衬底的表面延伸到所述凹部和所述半导体衬底之间的界面。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二掺杂半导体区与所述第一掺杂半导体区共延。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述形成所述凹部，包括在所述半导体衬底上形成掩模以及蚀刻未被所述掩模覆盖的所述半导体衬底的一个区域。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述掩模包括金属、氮化硅、二氧化硅或碳。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述蚀刻所述区域，是通过湿法蚀刻、干法蚀刻或其组合。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底包括硅、锗、GaAs或其组合。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体纳米晶体是碲化镉锌(CdZnTe)纳米晶体、碲化镉(CdTe)纳米晶体、硒化镉(CdSe)纳米晶体、硫化镉(CdS)纳米晶体或硫化铅(PbS)纳米晶体。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述凹部的形状为平截头体、棱柱形、棱锥形、长方体形或圆柱体形。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体纳米晶体的直径为10纳米或更小。

14.如权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述半导体衬底粘接到在其中或在其上包括电子系统的另一衬底，其中所述电子系统电连接到所述第二掺杂半导体区并且被配置为处理在所述半导体衬底中产生的电信号。

15.一种方法，其包括：

在直接支撑在电绝缘层上的半导体层中形成通孔，其中所述半导体层的一部分保留在所述通孔中并被所述通孔包围；

将半导体纳米晶体沉积到所述通孔中，所述半导体纳米晶体具有与所述半导体层不同的组成；

形成穿过所述电绝缘层的开口，使得所述半导体层的所述部分暴露在所述开口中；

在所述开口中形成电极，所述电极与所述半导体层的所述部分电接触。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述形成所述通孔，包括在所述半导体层上形成掩模并蚀刻未被所述掩模覆盖的所述半导体层的区域。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述掩模包括金属、氮化硅、二氧化硅或碳。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述蚀刻所述区域，是通过湿法蚀刻、干法蚀刻或其组合。