[发明专利]带有闪烁体的辐射检测器在审

专利信息
申请号: 201980093767.4 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN113614575A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 曹培炎;刘雨润 申请(专利权)人: 深圳帧观德芯科技有限公司
主分类号: G01T1/20 分类号: G01T1/20;G01T1/17
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 带有 闪烁 辐射 检测器
【权利要求书】:

1.一种辐射检测器,其包括

包括第一结的第一光电二极管;

第一闪烁体,

其中在第一平面中并且在所述第一闪烁体内部的第一点在所述第一平面中基本上完全被所述第一平面和所述第一结的交点所包围。

2.如权利要求1所述的辐射检测器,其中所述第一结是p-n结、p-i-n结、异质结或肖特基结。

3.如权利要求1所述的辐射检测器,其中所述第一光电二极管被配置为测量由所述第一闪烁体发射并入射在所述第一光电二极管上的光子的特性。

4.如权利要求3所述的辐射检测器,其中所述特性是能量、辐射通量、波长或频率。

5.如权利要求1所述的辐射检测器,其中所述第一闪烁体与所述第一光电二极管直接物理接触。

6.如权利要求1所述的辐射检测器,其中所述第一闪烁体包含碘化钠。

7.如权利要求1所述的辐射检测器,其中所述第一闪烁体包括量子点。

8.如权利要求1所述的辐射检测器,其进一步包括基板,其中所述第一闪烁体在所述基板的基板表面的凹部中。

9.如权利要求8所述的辐射检测器,其中所述凹部具有截锥形的形状。

10.如权利要求8所述的辐射检测器,其中所述第一基板包含硅。

11.如权利要求8所述的辐射检测器,其中所述第一光电二极管在所述基板中。

12.如权利要求8所述的辐射检测器,其中所述第一结与所述凹部的侧壁和底壁一致。

13.如权利要求1所述的辐射检测器,其进一步包括第一反射器,所述第一反射器被配置为将由所述第一闪烁体发射的基本上全部的光子引导到所述第一光电二极管中。

14.如权利要求13所述的辐射检测器,其中所述第一反射器被配置为将由所述第一闪烁体发射的光子朝向所述第一反射器反射。

15.如权利要求13所述的辐射检测器,其中所述第一反射器对于某些辐射粒子并非是不透明的,当所述辐射粒子入射到所述第一闪烁体上时,这些辐射粒子能够使所述第一闪烁体发射光子。

16.如权利要求13所述的辐射检测器,其中所述第一闪烁体基本上完全被所述第一反射器和所述第一光电二极管包围。

17.如权利要求13所述的辐射检测器,其中所述第一反射器包括选自铝、银、金、铜及其任意组合的材料。

18.如权利要求13所述的辐射检测器,其中所述第一反射器与所述第一闪烁体直接物理接触。

19.如权利要求13所述的辐射检测器,其中所述第一反射器电连接到所述第一光电二极管。

20.如权利要求1所述的辐射检测器,其进一步包括:

第二光电二极管,其包括第二结并且与第一光电二极管相邻;和

第二闪烁体,

其中,在第二平面中并且在所述第二闪烁体内部的第二点在所述第二平面中基本上完全被所述第二平面和所述第二结的相交点包围。

21.如权利要求20所述的辐射检测器,其进一步包括第二反射器,所述第二反射器被配置为将由所述第二闪烁体发射的基本上全部的光子引导到所述第二光电二极管中。

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