[发明专利]具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其为具有支石墓结构的半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及带黏合剂片的芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述带黏合剂片的芯片包含第二芯片及设置在所述第二芯片的一个面上的黏合剂片，所述具有支石墓结构的半导体装置的制造方法包括：

(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层、及至少具有热固性树脂层的支撑片形成用膜；

(B)通过将所述支撑片形成用膜单片化，在所述压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；

(C)从所述压敏胶黏层拾取所述支撑片的工序；

(D)在基板上配置第一芯片的工序；

(E)在所述基板上且所述第一芯片的周围配置多个所述支撑片的工序；

(F)准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备第二芯片、及设置在所述第二芯片的一个面上的黏合剂片；以及

(G)通过在多个所述支撑片的表面上配置所述带黏合剂片的芯片来构筑支石墓结构的工序，

在所述支撑片形成用膜中，将带黏合剂片的芯片的黏合剂片热压接于该支撑片形成用膜，使该支撑片形成用膜在170℃下固化1小时后的所述支撑片与所述带黏合剂片的芯片在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述支撑片形成用膜为由热固性树脂层构成的膜、或者为依次包括热固性树脂层、比所述热固性树脂层具有更高刚性的树脂层或金属层、热固性树脂层的三层膜。

3.一种具有支石墓结构的半导体装置，其包括：

基板；

第一芯片，配置在所述基板上；

多个支撑片，配置在所述基板上且所述第一芯片的周围；以及

带黏合剂片的芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，

所述带黏合剂片的芯片包含第二芯片及设置在所述第二芯片的一个面上的黏合剂片，

所述支撑片与所述带黏合剂片的芯片在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述支撑片为由热固性树脂组合物的固化物构成、或者为依次层叠有所述固化物的层、树脂层或金属层、所述固化物的层的结构。