[发明专利]半导体基板的制造方法和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板的制造方法，其具备：

(a)工序，其中，准备在作为氮化物半导体基板的生长基板的第一主面上使氮化物半导体层外延生长的外延基板和第一支承基板，在所述生长基板的所述第一主面与所述第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将所述外延基板与所述第一支承基板贴合，

(b)工序，其中，在所述工序(a)之后，将所述生长基板的形成有所述氮化物半导体层的所述第一主面的相反侧的第二主面除去到一定厚度，使所述生长基板薄板化，

(c)工序，其中，在所述工序(b)之后，从经薄板化的所述生长基板的所述第二主面到所述树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层，

(d)工序，其中，在所述工序(b)之后，从所述第一支承基板的所述第一主面的相反侧的第二主面到所述树脂粘接层的所述侧面，形成第二保护薄膜层，

(e)工序，其中，在所述工序(c)和(d)之后，将经薄板化的所述生长基板除去，使所述氮化物半导体层露出，

(f)工序，其中，在所述工序(e)之后，在所述氮化物半导体层上贴合第二支承基板，和

(g)工序，其中，在所述工序(f)之后，将所述第一支承基板和树脂粘接层除去。

2.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，所述工序(c)和(d)分别包括如下工序：以形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层时的成膜温度不到构成所述树脂粘接层的树脂的玻璃化转变温度的方式形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体基板的制造方法，其中，所述工序(c)和(d)分别包括如下工序：采用原子层沉积法、溅射法、等离子体CVD法和催化CVD法中的任一者形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。

4.根据权利要求3所述的半导体基板的制造方法，其中，所述工序(c)和(d)分别包括如下工序：采用氧化硅、氮化硅和氧化铝中的任一者形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。

5.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，所述工序(b)使所述生长基板薄板化以致所述生长基板的厚度成为7μm以上且30μm以下的范围。

6.一种半导体装置的制造方法，其具备：

(a)工序，其中，准备在作为氮化物半导体基板的生长基板的第一主面上使氮化物半导体层外延生长的外延基板，在所述氮化物半导体层上形成氮化物半导体元件，

(b)工序，其中，准备第一支承基板，在所述生长基板的所述第一主面与所述第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层以致将所述氮化物半导体元件内包，将所述外延基板与所述第一支承基板贴合，

(c)工序，其中，在所述工序(b)之后，将所述生长基板的形成有所述氮化物半导体元件的所述第一主面的相反侧的第二主面除去到一定厚度，将所述生长基板薄板化，

(d)工序，其中，在所述工序(c)之后，从经薄板化的所述生长基板的所述第二主面到所述树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层，

(e)工序，其中，在所述工序(c)之后，从所述第一支承基板的所述第一主面的相反侧的第二主面到所述树脂粘接层的所述侧面，形成第二保护薄膜层，

(f)工序，其中，在所述工序(d)和(e)之后，将经薄板化的所述生长基板除去，使所述氮化物半导体层露出，

(g)工序，其中，在所述工序(f)之后，在所述氮化物半导体层上贴合第二支承基板，

(h)工序，其中，在所述工序(g)之后，将所述第一支承基板和树脂粘接层除去。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述工序(d)和(e)分别包括如下工序：以形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层时的成膜温度不到构成所述树脂粘接层的树脂的玻璃化转变温度的方式形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其中，所述工序(d)和(e)分别包括如下工序：采用原子层沉积法、溅射法、等离子体CVD法和催化CVD法中的任一者形成所述第一保护薄膜层和第二保护薄膜层。