[发明专利]在基板上沉积材料的方法在审
| 申请号： | 201980097808.7 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN114008741A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 安科·赫尔密西 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板上 沉积 材料 方法 | ||
1.一种在基板上沉积材料的方法，所述方法包括：
从具有第一磁体组件的第一旋转靶材和具有第二磁体组件的第二旋转靶材溅射所述材料的至少一成分，
所述第一旋转靶材内的所述第一磁体组件在朝向所述第二旋转靶材的第一方向上提供第一等离子体约束，以及
所述第二旋转靶材内的所述第二磁体组件在朝向所述第一旋转靶材的第二方向上提供第二等离子体约束。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一方向和所述第二方向从平行于基板平面偏离小于40°的角度。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一方向和所述第二方向从平行于基板平面朝向所述基板偏离小于40°的角度及远离所述基板偏离小于10°的角度。
4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中沉积在所述基板上的所述材料形成透明导电氧化物膜。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述材料包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
6.一种控制器，所述控制器被配置成能连接至用于沉积材料的系统并进一步被配置成控制所述系统，使得执行如权利要求1至5中任一项所述的方法。
7.一种用于沉积材料的系统，所述系统包括具有第一磁体组件的第一旋转阴极和具有第二磁体组件的第二旋转阴极，所述系统被配置成使得在沉积所述材料期间：
所述第一旋转阴极内的所述第一磁体组件被配置成在朝向所述第二旋转阴极的第一方向上提供第一等离子体约束。
8.如权利要求7所述的系统，所述系统被配置成将所述材料沉积在基板上，其中所述第一方向从平行于基板平面偏离小于40°的角度。
9.如权利要求7所述的系统，所述系统还被配置成使得在沉积所述材料期间：
所述第二旋转阴极内的所述第二磁体组件在朝向所述第一旋转阴极的第二方向上提供第二等离子体约束。
10.如权利要求9所述的系统，所述系统被配置成将所述材料沉积在基板上，其中所述第一方向和所述第二方向从平行于基板平面偏离小于40°的角度。
11.如权利要求10所述的系统，其中所述第一方向和所述第二方向从平行于基板平面朝向所述基板偏离小于40°的角度及远离所述基板偏离小于10°的角度。
12.如权利要求7至11中任一项所述的系统，其中沉积的所述材料形成透明导电氧化物膜。
13.如权利要求7至12中任一项所述的系统，其中所述材料包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
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