[发明专利]具有用于热传输的化学气相沉积金刚石（CVDD）窗口的板组件

权利要求书

1.一种板组件，所述板组件包括：

电路板；

半导体管芯，所述半导体管芯电耦合至所述电路板；

化学气相沉积金刚石(CVDD)窗口；和

导热膏层，所述导热膏层沿所述CVDD窗口的第一表面的完整范围与所述CVDD窗口的所述第一表面直接接触，并且与所述半导体管芯直接接触，所述导热膏层被定位成使得所述导热膏层遮盖所述半导体管芯上的热点，所述CVDD窗口的占位面积小于所述半导体管芯的占位面积的百分之二十。

2.根据权利要求1所述的板组件，所述板组件还包括延伸穿过所述电路板的开口，所述CVDD窗口在所述开口内延伸。

3.根据权利要求2所述的板组件，所述板组件还包括引线，所述引线从所述半导体管芯延伸至所述电路板以用于将所述半导体管芯电耦合至所述电路板。

4.根据权利要求3所述的板组件，所述板组件还包括围绕所述管芯延伸的挡板以及在所述挡板内延伸的填充材料。

5.根据权利要求3所述的板组件，所述板组件还包括附加电路板和围绕所述管芯延伸的挡板，所述附加电路板附接至所述挡板，以便将所述电路板耦合至所述附加电路板并且在所述挡板内以及在所述电路板与所述附加电路板之间形成封装件，所述半导体管芯和所述引线在所述封装件内延伸。

6.根据权利要求5所述的板组件，所述板组件还包括在所述封装件内延伸的填充材料。

7.根据权利要求6所述的板组件，其中所述填充材料包括金刚石膏。

8.根据权利要求2所述的板组件，其中所述CVDD窗口的厚度与所述电路板的厚度相同。

9.根据权利要求2所述的板组件，其中所述CVDD窗口的厚度大于所述电路板的厚度，所述CVDD窗口在所述电路板的顶表面上方延伸。

10.根据权利要求2所述的板组件，其中所述CVDD窗口的厚度大于所述电路板的厚度，所述CVDD窗口在所述电路板的底表面下方延伸。

11.根据权利要求2所述的板组件，其中所述CVDD窗口的厚度大于所述电路板的厚度，所述CVDD窗口在所述电路板的顶表面上方延伸并且在所述第一电路板的底表面下方延伸。

12.根据权利要求1所述的板组件，所述板组件还包括导热板，所述导热板键合至所述CVDD窗口的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相背对。

13.根据权利要求12所述的板组件，所述板组件还包括球栅阵列，所述球栅阵列在所述半导体管芯与所述电路板之间延伸。

14.根据权利要求1所述的板组件，其中所述CVDD窗口覆盖在所述半导体管芯上的所述热点上。

15.一种用于形成板组件的方法，所述方法包括：

识别半导体管芯上的热点的位置；

在电路板中切割出对应于所识别的热点的所述位置的开口；

将化学气相沉积金刚石(CVDD)窗口插入到所述开口中；

在所述CVDD窗口上方施加导热膏层；以及

将所述半导体管芯放置在所述导热膏层上方，使得所述CVDD窗口位于所述热点下方并且使得所述半导体管芯的表面与所述导热膏层直接接触。

16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：将引线附接至所述半导体管芯和所述第一电路板以将所述管芯电耦合至所述第一电路板。