[发明专利]半导体激光装置

说明书

半导体激光装置(70)具备半导体激光元件(13)、接收从半导体激光元件(13)射出的激光(4)的光检测器(10)、以及搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座(1)。半导体激光元件(13)配置在光检测器(10)的最远离管座(1)的搭载半导体激光元件(13)以及光检测器(10)的管座表面(34)的最远部(59)与管座表面(34)之间的管座表面(34)侧。光检测器(10)在形成于与半导体激光元件(13)对置的一侧的接收激光(4)的受光面(17)形成有反射膜(20)，该反射膜(20)使激光(4)的一部分透过并且反射剩余的部分。

技术领域

本申请涉及半导体激光装置。

背景技术

在专利文献1中，公开了一种带监视器的表面发光半导体激光器，其由以单片(monolithic)集成在同一半导体基板上的激光器部和监视器用光电二极管部构成，且具备分离槽，该分离槽具有与半导体基板垂直的激光侧端面和相对于半导体基板倾斜的光电二极管侧端面。专利文献1的带监视器的表面发光半导体激光器，使光电二极管侧端面反射从激光器部射出的激光，而与半导体基板垂直地输出激光。

专利文献1：日本特开平1-84687号公报(图2)

在专利文献1的带监视器的表面发光半导体激光器中，激光器部和监视器用光电二极管部(光检测器部)被集成为单片，激光器部以及监视器用光电二极管部形成共用的部分多。因此，激光器部与监视器用光电二极管部的各层的表面(与半导体基板相反的一侧)变得相同。在作为半导体激光器的激光器部中，根据流入电流量等使用条件，有时向作为光检测器部的受光面的光电二极管侧端面射出的激光扩散。专利文献1的带监视器的表面发光半导体激光器存在如下问题：在从激光器部射出到光电二极管侧端面的激光扩散的情况下，扩散到形成于表面侧的正电极(阳极电极)侧的激光不能被反射。

发明内容

本申请说明书所公开的技术的目的在于，得到一种即使在从半导体激光器射出的激光扩散的情况下，也能够由光检测器的受光面就连激光的扩散末端都反射的半导体激光装置。

本申请说明书所公开的一个例子的半导体激光装置，具备半导体激光元件、接收从半导体激光元件射出的激光的光检测器、以及搭载半导体激光元件以及光检测器的管座。半导体激光元件配置在光检测器的最远离管座的搭载半导体激光元件以及光检测器的管座表面的最远部与管座表面之间的管座表面侧。光检测器在形成于与半导体激光元件对置的一侧的接收激光的受光面形成有反射膜，该反射膜使激光的一部分透过并且反射剩余的部分。

本申请说明书所公开的一个例子的半导体激光装置在光检测器的最远离管座表面的最远部与管座表面之间的管座表面侧配置有半导体激光元件，在形成于与半导体激光元件对置的一侧的接收激光的光检测器的受光面形成有反射膜，该反射膜使激光的一部分透过并且反射剩余的部分，因此即使在从作为半导体激光器的半导体激光元件射出的激光扩散的情况下，也能够由光检测器的受光面就连激光的扩散末端都反射。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置的剖视图。

图2是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置的表面图。

图3是沿图2中的A2-A2所示的虚线剖切的剖视图。

图4是对图1的第二次基台的倾斜角度进行说明的图。

图5是表示图1的波导型受光元件的立体图。

图6是表示比较例的半导体激光装置的剖视图。

图7是表示比较例的半导体激光装置的表面图。

图8是表示实施方式2所涉及的半导体激光装置的剖视图。

图9是表示实施方式2所涉及的半导体激光装置的表面图。

图10是沿图9中的C2-C2所示的虚线剖切的剖视图。