[发明专利]片状氧化铝颗粒和片状氧化铝颗粒的制造方法有效
申请号: | 201980101202.6 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN114514290B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 杨少伟;土肥知树;冲裕延;袁建军;刘丞;李萌;赵伟 | 申请(专利权)人: | DIC株式会社 |
主分类号: | C09C1/40 | 分类号: | C09C1/40;C09K5/14;C09K3/14;C10M103/06;C04B35/117;C04B35/626;C04B35/63 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 片状 氧化铝 颗粒 制造 方法 | ||
1.一种片状氧化铝颗粒,
其中峰强度I(006)与峰强度I(113)之比I(006)/I(113)为0.2以上且30以下,
所述峰强度I(006)为使用Cu-Kα射线通过X射线衍射测量获得的对应于(006)面衍射峰的在2θ=41.6±0.3度处的峰的强度,和
所述峰强度I(113)为使用Cu-Kα射线通过X射线衍射测量获得的对应于(113)面衍射峰的在2θ=43.3±0.3度处的峰的强度,
其中所述片状氧化铝颗粒的D50值为22μm~50μm。
2.根据权利要求1所述的片状氧化铝颗粒,
其中所述片状氧化铝颗粒的厚度为0.1μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的片状氧化铝颗粒,
其中所述片状氧化铝颗粒包含选自由硅和锗组成的组中的至少一种元素。
4.根据权利要求1或2所述的片状氧化铝颗粒,
其中所述片状氧化铝颗粒包含钼。
5.根据权利要求1或2所述的片状氧化铝颗粒,
其中所述片状氧化铝颗粒在表面层中包含莫来石。
6.根据权利要求3所述的片状氧化铝颗粒,
其中所述片状氧化铝颗粒在表面层中包含莫来石。
7.一种根据权利要求1所述的片状氧化铝颗粒的制造方法,所述方法包括:
将包含铝元素的铝化合物、包含钼元素的钼化合物和形状控制剂混合以生成混合物;和
烧制所述混合物。
8.一种根据权利要求1所述的片状氧化铝颗粒的制造方法,所述方法包括:
将以Al2O3形式为50质量%以上的包含铝元素的铝化合物,以MoO3形式为7质量%以上且40质量%以下的包含钼元素的钼化合物,和以SiO2形式为0.4质量%以上且小于10质量%的硅或包含硅元素的硅化合物混合,以生成混合物;和
烧制所述混合物,
其中50质量%、7质量%、40质量%和10质量%各自为相对于假定为100质量%的以氧化物形式的原料总量的质量百分比。
9.一种根据权利要求1所述的片状氧化铝颗粒的制造方法,所述方法包括:
将以Al2O3形式为50质量%以上的包含铝元素的铝化合物,以MoO3形式为7质量%以上且40质量%以下的包含钼元素的钼化合物,和以GeO2形式为0.4质量%以上且小于1.5质量%的原料锗化合物混合,以生成混合物;和
烧制所述混合物,
其中50质量%、7质量%、40质量%、0.4质量%和1.5质量%各自为相对于假定为100质量%的以氧化物形式的原料总量的质量百分比。
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