[发明专利]一种3D存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种3D存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

堆叠层，形成于所述衬底上，包括多个交替堆叠的栅极导体层与层间绝缘层；

栅极隔槽，沿所述堆叠层的第一方向延伸且上下纵向分隔所述堆叠层，而具有侧壁和底部；

阵列共源极，形成于所述栅极隔槽内，且包含：

共源导体层，位于所述栅极隔槽的侧壁和底部的表面上；

第一填充物，位于所述栅极隔槽内，且被所述共源导体层围绕；

第二填充物，位于所述栅极隔槽内，且被所述第一填充物围绕；

第三填充物，位于所述栅极隔槽内，且位于所述第一填充物和所述第二填充物上；

其中，所述第二填充物的应力系数小于所述第一填充物的应力系数，所述第一填充物的应力系数小于所述第三填充物的应力系数。

2.如权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，所述第一填充物被所述共源导体层包围。

3.如权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，所述第二填充物被所述第一填充物包围。

4.如权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，所述第一填充物的材料为多晶硅；所述第二填充物的材料为硅的氧化物；所述第三填充物的材料为金属钨；所述共源导体层的材料包括钛和氮化钛其中之一。

5.如权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，所述衬底包括掺杂区，所述阵列共源极位于所述掺杂区上；所述掺杂区包括P型掺杂区和N型掺杂区其中之一。

6.一种3D存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

堆叠层，形成于所述衬底上，包括多个交替堆叠的栅极导体层与层间绝缘层；

栅极隔槽，沿所述堆叠层的第一方向延伸且上下纵向分隔所述堆叠层，而具有侧壁和底部；

阵列共源极，形成于所述栅极隔槽内，且包含：

第一共源导体层，位于所述栅极隔槽的侧壁和底部的表面上；

多晶硅层，位于所述栅极隔槽内，且被所述第一共源导体层围绕；

介电层，位于所述栅极隔槽内，且被所述多晶硅层围绕；

第二共源导体层，位于所述栅极隔槽内，且位于所述多晶硅层和所述介电层上。

7.如权利要求6所述的3D存储器件，其特征在于，所述多晶硅层被所述第一共源导体层包围。

8.如权利要求6所述的3D存储器件，其特征在于，所述介电层被所述多晶硅层包围。

9.如权利要求6所述的3D存储器件，其特征在于，所述介电层的材料为硅的氧化物；所述第一共源导体层的材料包括钛和氮化钛其中之一；所述第二共源导体层的材料为金属钨。

10.如权利要求6所述的3D存储器件，其特征在于，所述衬底包括掺杂区，所述阵列共源极位于所述掺杂区上；所述掺杂区包括P型掺杂区和N型掺杂区其中之一。

11.一种3D存储器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上形成包括多个交替堆叠的栅极层与层间绝缘层的堆叠层；

形成沿所述堆叠层的第一方向延伸且上下纵向分隔所述堆叠层的栅极隔槽；所述栅极隔槽具有侧壁和底部；

在所述栅极隔槽的所述侧壁和所述底部的表面上形成共源导体层；

在所述栅极隔槽内填充被所述共源导体层围绕的第一填充物；

在所述栅极隔槽内填充被所述第一填充物围绕的第二填充物；

在所述栅极隔槽内填充位于所述第一填充物和所述第二填充物上的第三填充物；其中，所述共源导体层、所述第一填充物、所述第二填充物和所述第三填充物构成了阵列共源极，且所述第二填充物的应力系数小于所述第一填充物的应力系数，所述第一填充物的应力系数小于所述第三填充物的应力系数。