[发明专利]离子注入方法及离子注入系统

权利要求书

1.一种离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供晶圆，所述晶圆内形成有若干个沟道孔，且位于晶圆中心区域的所述沟道孔与所述晶圆的表面相垂直，位于晶圆边缘区域的所述沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜小于90°的角度；及

使所述晶圆沿第一方向进行弧形往返运动并沿第二方向向所述晶圆内进行离子注入，所述第一方向与所述第二方向相垂直；

其中，所述晶圆沿所述第一方向进行弧形往返运动的弧形角度与位于所述晶圆边缘区域的所述沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜的角度相等。

2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：所述晶圆沿所述第一方向进行弧形往返运动的同时自旋运动。

3.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：所述第一方向包括竖直方向，所述第二方向包括水平方向。

4.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，使用离子注入装置向所述晶圆内进行离子注入；离子注入的同时，所述离子注入装置沿垂直于离子注入的方向进行往返扫描，往返扫描的宽度大于等于所述晶圆的直径。

5.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，将所述晶圆置于晶圆吸盘上，所述晶圆吸盘在驱动装置的驱动下带动所述晶圆沿第一方向进行弧形往返运动。

6.一种离子注入系统，其特征在于，包括：

晶圆吸盘，用于吸附晶圆，所述晶圆内形成有若干个沟道孔，且位于晶圆中心区域的所述沟道孔与所述晶圆的表面相垂直，位于晶圆边缘区域的所述沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜小于90°的角度；

第一驱动装置，与所述晶圆吸盘相连接，用于驱动所述晶圆吸盘带动所述晶圆沿第一方向进行弧形往返运动；及

离子注入装置，沿第二方向向所述晶圆内进行离子注入，所述第二方向与所述第一方向相垂直；

其中，所述晶圆沿所述第一方向进行弧形往返运动的弧形角度与位于所述晶圆边缘区域的所述沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜的角度相等。

7.根据权利要求6所述的离子注入系统，其特征在于：所述离子注入系统还包括第二驱动装置，所述第二驱动装置与所述晶圆吸盘相连接，用于驱动所述晶圆吸盘带动所述晶圆自旋运动。

8.根据权利要求6所述的离子注入系统，其特征在于：所述离子注入系统还包括第三驱动装置，所述第三驱动装置与所述离子注入装置相连接，用于在离子注入的同时驱动所述离子注入装置沿垂直于离子注入的方向进行往返扫描，往返扫描的宽度大于等于所述晶圆的直径。

9.根据权利要求6所述的离子注入系统，其特征在于：所述第一方向包括竖直方向，所述第二方向包括水平方向。