[发明专利]一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法在审
申请号: | 202010000836.7 | 申请日: | 2020-01-02 |
公开(公告)号: | CN111052943A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 鲍青松;年宁宁;郗世琦 | 申请(专利权)人: | 北京天卉源绿色科技研究院有限公司 |
主分类号: | A01G2/10 | 分类号: | A01G2/10;A01G22/60;A01G24/10;A01G24/15;A01G24/20;A01G24/22;A01G24/23;A01G24/28;A01G24/30;A01G24/46;A01C21/00 |
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地址: | 100032 北京市西*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 国庆 期间 菊花 开花 穴盘苗 生产 方法 | ||
1.一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法,其特征在于:包括如下步骤:
A、生产前准备
选择菊花品种、穴盘;
B、配制基质
基质由底层基质、中层基质、表层基质组合而成;
底层基质的原料包括泥炭土34-50份、蘑菇废料20-30份、活性炭颗粒8.6-13.5份、氧化铝颗粒4.5-7份、海绵颗粒9-14份、锯木屑8-10份、珍珠岩13-17份、蛭石12-18份;底层基质的原料混合均匀后,将其铺设在穴盘内,且底层基质的深度为穴盘深度的2/5;
中层基质的原料包括黑炭土20-30份、微生物污泥8-12份、细胞分裂素2.5-3.5份、活性炭颗粒7.5-10份、氧化铝颗粒11-15份、珍珠岩14-20份、蛭石4.5-8份;中层基质的原料混合均匀后,将其铺设在底层基质表面,且中层基质的深度为穴盘深度的1/5;
表层基质为碎木屑、碎草、枯树叶中的一种或几种,并将其铺设在中层基质表面,且表层基质的深度为穴盘深度的1/5;
C、修剪插条
选择没有柳芽、花蕾的插穗,在插穗长度4-5cm处进行修剪,并将插穗的底部剪成斜口,形成插条,插条上带有2-3个分枝,且插条的叶子剪一半、保留一半;
D、插条扦插
在7月20日-7月25日,温度为20-30℃、湿度为80-90%的条件下,将插条的基部沾生根粉,然后在穴盘的基质上预插一个扦插孔,之后将插条扦插到扦插孔内,进行扦插,插条的插入深度为基质深度的2/3,且插条当天取当天插,插条扦插完成后,利用多菌灵溶液对插条进行喷雾;
E、植株生长养护
插条基部长出根系并形成植株,待有50%以上的插条长出4-6个根系后,采用300ppm的水溶肥20-10-20和300ppm的水溶肥14-0-14交替对植株进行增肥,每周2-3次,期间,同时采用5-8ppm的多效唑进行灌根,以控制植株徒长;
F、短日照处理
在8月3日-8月7日,控制湿度为90%,并开始对植株进行短日照,早上8点开始进行照光,光照强度小于等于20Lux,温度为25-30℃,到18点开始进行避光,温度为10-15℃,同时采用150ppm的水溶肥10-30-20进行施肥,每周1-2次,持续到花蕾吐色或花蕾直径到达到5-10mm为止,期间,同时采用5-8ppm的多效唑进行灌根,以控制植株徒长;
G、开花养护
停止短日照后,将穴盘内的植株稀疏一倍,并对植株进行追肥,直至开花。
2.根据权利要求1所述的一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法,其特征在于:在开花养护期间,追肥采用300ppm的水溶肥20-10-20、300ppm的水溶肥14-0-14中的一种。
3.根据权利要求2所述的一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法,其特征在于:在开花养护期间,采用150ppm的水溶肥10-30-20对植株进行施肥,以保持植株开花鲜亮。
4.根据权利要求1所述的一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法,其特征在于:短日照处理期间,采用300ppm的水溶肥14-0-14对植株进行施肥,以防止植株萎蔫。
5.根据权利要求1所述的一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法,其特征在于:短日照处理期间,采用拱棚覆盖地布的方式对植株进行短日照处理。
6.根据权利要求1所述的一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法,其特征在于:插条扦插中,生根粉为浓度800-1000ppm的生根粉IBA。
7.根据权利要求1所述的一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法,其特征在于:插条扦插中,多菌灵溶液的重量浓度为0.1%。
8.根据权利要求1所述的一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法,其特征在于:生产前准备中,菊花品种选用球菊,且球菊的颜色为黄色、粉色、紫色、白色、红色中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的一种国庆期间菊花开花穴盘苗生产方法,其特征在于:生产前准备中,穴盘为72孔穴盘。
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