[发明专利]一种温度控制装置及刻蚀设备有效
申请号: | 202010001117.7 | 申请日: | 2020-01-02 |
公开(公告)号: | CN111146125B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 刘彦修;任志明;李发业;周建;李显杰;田龙宇;晏熙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 控制 装置 刻蚀 设备 | ||
本申请公开了一种温度控制装置及刻蚀设备,该装置包括:壳体以及设置在该壳体内的加热元件,该壳体为敞口结构,该壳体设置在刻蚀室的顶板上,且该壳体的敞口朝向该顶板,在该顶板与该壳体之间形成温控腔体,该加热元件用于加热该温控腔体内的气体,使得该刻蚀室的顶板的温度与该刻蚀室内的刻蚀液温度接近。本申请实施例通过加热元件对刻蚀室顶板上的腔体内的气体加热,使得该顶板被加热,进而使得该顶板的温度与刻蚀室内的刻蚀液的温度保持接近,避免了刻蚀液的挥发气体在刻蚀室顶板上遇冷凝结形成液滴,从而避免了由于液滴回落造成的刻蚀工艺缺陷,保证了刻蚀基板上的均匀性,提高了产品的良品率。
技术领域
本申请一般涉及刻蚀技术领域,尤其涉及一种温度控制装置及刻蚀设备。
背景技术
在刻蚀工艺中,为了提高刻蚀速率,有时需要将药液进行加热。在刻蚀过程中,刻蚀室的药液会挥发。所挥发的气体运动到刻蚀室顶部后,将在刻蚀室顶部会遇冷液化凝结,形成液滴。
随着凝结的药液量的增多,液滴逐渐增大,最终将滴落到刻蚀基板上,使得药液滴落位置处的药液浓度发生变化,而刻蚀液的浓度不均会导致刻蚀基板的过刻或欠刻,进而能够导致CD Bias与标准值的偏差过大,从而造成刻蚀的工艺缺陷,降低产品良率。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种温度控制装置及刻蚀设备,以提高刻蚀工艺的均匀性。
第一方面,提供一种温度控制装置,该温度控制装置包括:
壳体以及设置在该壳体内的加热元件,该壳体为敞口结构,该壳体设置在刻蚀室的顶板上,且该壳体的敞口朝向该顶板,在该顶板与该壳体之间形成温控腔体,该加热元件用于加热该温控腔体内的气体,使得该刻蚀室的顶板的温度与该刻蚀室内的刻蚀液温度接近。
本申请的一个实施例或者多个实施例中的温度控制装置,该壳体内设置第一隔板,该第一隔板将该温控腔体划分为第一腔体及第二腔体,该加热元件设置在该第二腔体内,该第一腔体对应的壳体壁上设置有第一排气孔,该第二腔体对应的壳体壁上设置有进气口,该第一隔板上设置有连通该第一腔体及该第二腔体的第一通孔。
本申请的一个实施例或者多个实施例中的温度控制装置,该第一通孔内设置有第一风叶组件。
本申请的一个实施例或者多个实施例中的温度控制装置,该第一腔体内设置有整流板,该整流板上设置有第二排气孔。
本申请的一个实施例或者多个实施例中的温度控制装置,该第一腔体内靠近该第一隔板处设置有导热片。
本申请的一个实施例或者多个实施例中的温度控制装置,在该第一腔体内靠近该导热片设置有导流片,该导热片位于该导流片及该第一隔板之间。
本申请的一个实施例或者多个实施例中的温度控制装置,在该第二腔体内设置有第二隔板,该第二隔板将该第二腔体划分为加热室和送气室,该加热元件设置在该加热室内,该进气口设置在该送气室对应的壳体壁上,该第一通孔设置在该加热室对应的壳体壁上,该第二隔板上设置有连通该加热室及该送气室的第二通孔,与该送气室对应的该第一隔板上还设有连通该第一腔体与该送气室的第三通孔。
本申请的一个实施例或者多个实施例中的温度控制装置,该第二通孔内上设置有第二风叶组件,该第三通孔内设置有第三风叶组件。
本申请的一个实施例或者多个实施例中的温度控制装置,该第一腔体对应的该壳体内壁设置有温度传感器,该壳体外壁上嵌设有控制芯片,该温度传感器与该控制芯片电连接,该控制芯片用于基于该温度传感器采集的温度值,控制该加热元件、该第一风叶组件、该第二风叶组件及该第三风叶组件的开启或关闭。
第二方面,本申请实施例提供一种刻蚀设备,该设备包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造