[发明专利]一种微波功放芯片载体及其制备方法

权利要求书

1.一种微波功放芯片载体，其特征在于，包括：

高硅铝合金基板；

芯片垫块，包括芯片焊接金属层和载体焊接金属层，所述芯片焊接金属层形成在所述高硅铝合金基板第一表面的功率芯片焊接区域，所述载体焊接金属层形成在所述高硅铝合金基板的第二表面；

薄膜电容，形成在所述高硅铝合金基板第一表面的电容区域，所述薄膜电容具体包括：粘结层、覆盖在所述粘结层上表面的介质层以及覆盖在所述介质层上表面的电极金属层；

其中，第一表面和第二表面为所述高硅铝合金基板相互平行的两个表面；

所述高硅铝合金基板中的硅的质量百分比在25％以上；

所述介质层为氧化铝/氧化钽复合氧化物层，所述介质层的制备首先采用溅射铝/钽复合薄膜，然后再进行阳极氧化；

所述粘结层为钽/氧化钽膜层，所述钽/氧化钽膜层的制备先采用溅射钽膜层，然后再进行阳极氧化。

2.根据权利要求1所述的微波功放芯片载体，其特征在于，所述高硅铝合金基板的第一表面的粗糙度小于100nm,第二表面的粗糙度小于1μm。

3.根据权利要求1所述的微波功放芯片载体，其特征在于，所述电极金属层包括第一金属种子层、第一阻挡层以及引线键合层。

4.根据权利要求3所述的微波功放芯片载体，其特征在于，所述芯片焊接金属层包括第二金属种子层、第二阻挡层和第一焊接层；载体焊接金属层包括第三金属种子层、第三阻挡层和第三焊接层。

5.根据权利要求4所述的微波功放芯片载体，其特征在于，所述第一金属种子层、所述第二金属种子层以及第三金属种子层均为钛、铬、钽、钛钨合金。

6.根据权利要求4所述的微波功放芯片载体，其特征在于，所述第一焊接层和第二焊接层均为金或银，所述引线键合层选自金、铝、钯。

7.根据权利要求4所述的微波功放芯片载体，其特征在于，所述第一阻挡层、第二阻挡层以及第三阻挡层均为镍或钯或钽。

8.一种如权利要求1所述的微波功放芯片载体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用化学机械抛光对高硅铝合金基板的第一表面和第二表面进行处理，使第一表面粗糙度低于100nm，第二表面粗糙低于1μm，然后在第一表面上制备薄膜电容、制备芯片焊接金属层，然后在第二表面上制备载体焊接金属层并进行划片，得到微波功放芯片载体；

其中，第一表面和第二表面为所述高硅铝合金基板相互平行的两个表面；

具体为：首先在第一表面上依次形成粘结层、介质层和电极金属层，然后采用光刻技术在薄膜电容区域形成光刻胶并通过干法刻蚀或湿法腐蚀去除非薄膜电容区域的薄膜电容，裸露出高硅铝合金基板，然后在裸露的高硅铝合金基板上形成芯片焊接金属层；

或，在第一表面首先制备芯片焊接金属层，然后采用光刻技术在芯片焊接层区域形成光刻胶并通过干法刻蚀或湿法腐蚀去除非芯片焊接金属层区域的芯片焊接金属层区域，裸露出高硅铝合金基板，然后在裸露的高硅铝合金基板上依次形成粘结层、介质层和电极金属层；

所述介质层为氧化铝/氧化钽复合氧化物层，所述介质层的制备首先溅射铝/钽复合薄膜，然后再进行阳极氧化制备；

所述粘结层为钽/氧化钽层，所述粘结 层的制备首先采用溅射钽膜层，然后再进行阳极氧化。

9.根据权利要求8所述的微波功放芯片载体的制备方法，其特征在于，所述电极金属层、芯片焊接金属层和载体焊接金属层采用金属溅射沉积或金属蒸镀制备。

10.根据权利要求8所述的微波功放芯片载体的制备方法，其特征在于，在第一表面采用lift-off工艺制备薄膜电容，具体为首先在第一表面涂胶并光刻预埋薄膜电容窗口，对预埋了薄膜电容窗口图形的第一表面上沉积薄膜电容，然后通过去胶将非薄膜电容区域薄膜剥离。