[发明专利]具有空间限制作用阻变存储器的制备方法

权利要求书

1.一种具有空间限制作用阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)准备衬底，在衬底的表面上制备底电极；

2)在底电极上制备工艺遮蔽层，该工艺遮蔽层上具有绝缘性的纳米孔隙阵列；

3)在工艺遮蔽层的纳米孔隙内定向生长超过纳米孔隙深度的阻变材料层；

4)对阻变材料层进行氧气及后金属退火处理；

5)在阻变材料层表面上制备顶电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中的工艺遮蔽层上纳米孔隙阵列由以下步骤制得：

21)在底电极上制备一绝缘层；

22)使用光刻工艺，对绝缘层进行蚀刻，在绝缘层刻蚀出呈阵列分布的若干纳米管。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述绝缘层为氧化铝绝缘层或者二氧化硅绝缘层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中的工艺遮蔽层上纳米孔隙阵列由以下步骤制得：

21)采用直流溅射工艺在底电极上沉积一金属铝层；

22)将具有金属铝层的衬底置于硫酸和草酸混合的电解液中，使用直流电压进行电化学反应；

23)将反应后的衬底浸入在铬酸及磷酸的混合液中，移除表层的阳极氧化铝；

24)进行第二阶段的阳极处理，以形成规则的阳极氧化铝纳米管矩阵。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中阻变材料层由以下步骤制得：

31)在工艺遮蔽层上生长厚度超过纳米孔隙深度的阻变材料层；

32)将超出工艺遮蔽层的阻变材料层研磨去除。