[发明专利]一种原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料的生产工艺有效

专利信息
申请号: 202010002340.3 申请日: 2020-01-02
公开(公告)号: CN111074113B 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 周东帅;百志好;汤大龙 申请(专利权)人: 苏州先准电子科技有限公司
主分类号: C22C21/02 分类号: C22C21/02;C22C1/03;C22C1/10;C22C1/06;C22F1/043
代理公司: 无锡坚恒专利代理事务所(普通合伙) 32348 代理人: 杜兴
地址: 215600 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 原位 生成 硼化锆 颗粒 增强 铝硅基 复合材料 生产工艺
【说明书】:

发明公开了一种原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1:制备熔化的铝硅合金;S2:将铝锆中间合金和铝硼中间合金加入熔化的铝硅合金中,中间合金熔化后混合均匀,加入精炼剂,保温打渣后浇铸成型,得原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料。原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料中硼化锆颗粒分布较为均匀,界面干净,结合良好,有助于改善铝基材料的强度和延伸率;搅拌铸造法工艺过程简单可靠,节省能源且易于推广应用。本发明还公开了一种原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料。

技术领域

本发明涉及铝基复合材料技术领域,具体涉及一种原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料的生产工艺及复合材料。

背景技术

过共晶Al-Si合金一般具有良好的耐磨性和低的线膨胀系数和工艺性能均较好,广泛应用于航空、内燃机、汽车、电子等工业中,是应用最为广泛的铸造铝合金之一。过共晶Al-Si合金已经成为微波电路、微电子器件的电子封装的首选材料。随着航空、航天军事用途的微波电路、微电子器件、半导体集成电路向大功率、小型化、轻量化、高密度组装化、低成本、高性能和高可靠性的发展方向,对封装材料的性能提出了更高的要求。因此,需要更高强度的过共晶Al-Si合金。

提高Al-Si合金的力学性能,现有技术中常用的方法是向Al-Si基体中添加陶瓷颗粒制备复合材料,例如CN1563455A中公开了一种原位硼化钛颗粒和三氧化二铝晶须复合强化铝基复合材料的制备方法,包括制备预制块和将预制块压入合金熔体中溶制两步骤。预制块中含有铝基体以及第二相颗粒三氧化二铝和硼化钛。预制块的制备过程是:将纯铝、钛粉和硼粉混合均匀,然后采用压机压制成圆柱形的预制块。上述制备方法工艺路线步骤多,并且外加的第二相颗粒(碳酸钙和碳化钨)在熔体中的分散均匀程度差。

CN103276389A公开了一种氧化铝与二硼化锆增强铝基原位复合材料的制备方法,将经过球磨处理的第二相颗粒(氧化锆颗粒和硼颗粒)置于纯铝或铝合金表面的沟槽或者盲孔中,或者将第二相颗粒喷涂或涂覆在纯铝或铝合金表面,采用搅拌摩擦原位合成在纯铝或铝合金的表面形成复合材料层。上述方法仅适用于基材的表面增强。

发明内容

本发明的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料。

为了实现上述技术效果,本发明的技术方案为:一种原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:

S1:制备熔化的铝硅合金;

S2:将铝锆中间合金和铝硼中间合金加入熔化的铝硅合金中,中间合金熔化后混合均匀,加入精炼剂,保温打渣后浇铸成型,得原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料。

优选的技术方案为,按质量百分比计,所述铝硅合金中硅含量为15~30%,其余为铝;或者所述铝硅合金的组元成分为:硅15~30%、镁0.25~0.45%,其余为铝。

优选的技术方案为,铝锆中间合金中的锆与铝硼中间合金中的硼摩尔比为(2.05~3.5):1。

优选的技术方案为,按质量百分比计,所述原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料中组元锆的加入量为n%,0.5<n≤5。

优选的技术方案为,还包括对S2所得铝基复合材料的固溶热处理和时效热处理,所述固溶热处理温度为500~550℃,保温16~24小时;所述时效热处理温度为150~200℃,保温4~10小时。

优选的技术方案为,S1的工艺过程为:将纯铝加热至800~1000℃熔化,加入合金元素,完全熔化后搅拌均匀。

本发明的目的之二在于提供一种原位生成硼化锆颗粒增强铝硅基复合材料,其特征在于,所述复合材料中含有原位生成硼化锆颗粒,所述原位生成硼化锆颗粒是由铝锆中间合金和铝硼中间合金加入熔化的铝硅合金中原位反应制得。

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