[发明专利]一种LED外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED外延片的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理，以在所述衬底表面形成翘曲控制层，其中所述氮化气体至少包括氨气；

在所述翘曲控制层表面依次形成N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化气体为氨气与氢气的混合气体；

或者，所述氮化气体为氨气与氮气的混合气体；

或者，所述氮化气体为氨气、氢气和氮气的混合气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化气体的总流量为20SLM～600SLM；

其中，氢气的流量0SLM～300SLM，包括端点值，氮气的流量7SLM～600SLM，包括端点值，氨气的流量是1SLM～220SLM，包括端点值；

或者，氢气的流量7SLM～300SLM，包括端点值，氮气的流量0SLM～600SLM，包括端点值，氨气的流量是1SLM～220SLM，包括端点值。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，氨气、氮气和氢气的比例为1:0:300～1:0.1:1；

或者，氨气、氮气和氢气的比例为1:600:0～1:0.1:1。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化处理的时间为0.5min～20min；

所述氮化处理的温度为600℃～1200℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述衬底进行氮化处理包括：

采用恒温的方式对所述衬底进行氮化处理；

或者，采用渐变升温的方式对所述衬底进行氮化处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述翘曲控制层表面依次形成N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层之前，还包括：

在所述翘曲控制层表面形成缓冲层；

或者，在所述翘曲控制层表面依次形成缓冲层和非掺杂半导体层。

8.一种LED外延片，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底表面的翘曲控制层、依次位于所述翘曲控制层表面的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；

其中，所述翘曲控制层是通过对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理形成的，所述氮化气体至少包括氨气。

9.根据权利要求8所述的LED外延片，其特征在于，所述衬底为PSS镀AlN衬底或蓝宝石衬底。

10.根据权利要求8所述的LED外延片，其特征在于，还包括位于所述翘曲控制层和所述N型半导体层之间的缓冲层；

或者，还包括依次位于所述翘曲控制层和所述N型半导体层之间的缓冲层和非掺杂半导体层。