[发明专利]一种光电传感器和显示面板

权利要求书

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：光电二极管；所述光电二极管包括第一电极、PIN结构层和第二电极，所述PIN结构层包括P型半导体层、N型半导体层和所述P型半导体层和所述N型半导体层之间的I型半导体层，所述第一电极与所述P型半导体层电连接，所述第二电极与所述N型半导体层电连接；

还包括至少位于所述光电二极管不同侧的第一结构层和第二结构层，所述第一结构层包括具备透光和反光作用的结构层，所述第二结构层包括反光结构层。

2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一结构层位于所述光电二极管的第一侧，所述第二结构层位于所述光电二极管的第二侧，所述第一侧和所述第二侧为所述光电二极管相对的两侧。

3.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述第一结构层位于所述PIN结构层的第一表面，所述第二结构层位于所述PIN结构层的第二表面；所述第一电极位于所述PIN结构层的第三表面，所述第二电极位于所述PIN结构层的第四表面，所述第一表面连接所述第三表面和所述第四表面，所述第二表面连接所述第三表面和所述第四表面。

4.根据权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，所述PIN结构层还包括相对的第五表面和第六表面，所述第五表面与所述第六表面的垂直距离小于所述第一表面与所述第二表面的垂直距离；

优选的，所述第五表面和所述第六表面设置有反光结构层。

5.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，第一结构层包括第一透明绝缘层和镁银合金层，所述第一透明绝缘层位于所述镁银合金层与所述PIN结构层之间。

6.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一结构层为微纳米结构层，所述微纳米结构层包括第一透明介质层和第二透明介质层，所述第一透明介质层设置于所述第二透明介质层远离所述PIN结构层的一侧，所述第一透明介质层与所述第二透明介质层相互嵌合，且所述第一透明介质层和所述第二透明介质层相互嵌合的表面均具有多个锥状结构；所述第一透明介质层的折射率n1小于所述第二透明介质层的折射率n2，沿所述第一结构层厚度方向上所述锥状结构截面三角形的两个底角角度均大于

7.根据权利要求1-6任一项所述的光电传感器，其特征在于，所述第二结构层包括第二透明绝缘层和银金属层，所述第二透明绝缘层位于所述银金属层和所述PIN结构层之间。

8.根据权利要求1-6任一项所述的光电传感器，其特征在于，所述第二结构层为微纳米结构层，所述微纳米结构层包括第三透明介质层和第四透明介质层，所述第三透明介质层设置于所述第四透明介质层远离所述PIN结构层的一侧，所述第三透明介质层与所述第四透明介质层相互嵌合，且所述第三透明介质层和所述第四透明介质层相互嵌合的表面均具有多个锥状结构；所述第三透明介质层的折射率n3小于所述第四透明介质层的折射率n4，沿所述第二结构层厚度方向上所述锥状结构截面三角形的两个底角角度均大于

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的光电传感器。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括基底，以及在所述基底上层叠设置的第一绝缘层、有源层、多个金属层和有机发光器件；在所述显示面板厚度方向上，所述光电传感器位于相邻所述有机发光器件之间；

所述第一结构层包括第一透明绝缘层和镁银合金层，所述第一透明绝缘层位于所述镁银合金层与所述PIN结构层之间；

所述第二结构层包括第二透明绝缘层和银金属层，所述第二透明绝缘层位于所述银金属层和所述PIN结构层之间；

其中，所述镁银合金层与所述有机发光器件的阴极同层设置，所述PIN结构层和所述有源层同层设置，所述第二透明绝缘层和所述第一绝缘层同层设置，所述第一电极与所述有机发光器件的阳极同层设置，并通过第一过孔与所述P型半导体层连接；所述第二电极与所述多个金属层中的任一金属层同层设置，并通过第二半导体层与所述N型半导体层连接。