[发明专利]温控开关及其制造方法

权利要求书

1.一种温控开关，其特征在于，包括微流道层和封装层，所述微流道层和所述封装层均采用柔性材料制成；所述微流道层设有微流道，所述封装层用于将低熔点金属封装于所述微流道内；所述微流道的两端各设有一个加样口，所述微流道包括喉部段、两个膨胀段和两个收缩段，所述加样口依次通过所述膨胀段和所述收缩段连接于所述喉部段；当该温控开关停止使用时，其温度低于低熔点金属的熔点时，喉部段出现裂口，从而实现电断开；当该温控开关投入使用时，其温度升高至低熔点金属的熔点，喉部段两侧的微流道连通，从而实现电连通。

2.根据权利要求1所述的温控开关，其特征在于，所述收缩段为阶跃式收缩段或者渐变式收缩段。

3.根据权利要求2所述的温控开关，其特征在于，所述渐变式收缩段为均匀渐缩段或者弧形渐缩段。

4.根据权利要求2所述的温控开关，其特征在于，所述喉部段为两个所述渐变式收缩段直接连接时形成的尖点部。

5.根据权利要求1所述的温控开关，其特征在于，所述微流道位于所述喉部段的两侧的部分分别连接一根导线，所述导线用于连接外部电路。

6.根据权利要求1所述的温控开关，其特征在于，所述膨胀段为平滑过渡段。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的温控开关，其特征在于，所述微流道层和所述封装层的热膨胀系数均小于所述低熔点金属的热膨胀系数。

8.根据权利要求7所述的温控开关，其特征在于，所述低熔点金属为镓、铟、镓基合金、铟基合金或铋基合金。

9.根据权利要求7所述的温控开关，其特征在于，所述微流道层和所述封装层均采用聚二甲基硅氧烷制成。

10.一种制造如权利要求1至9中任一项所述的温控开关的制造方法，其特征在于，包括：

采用微纳加工技术在微流道层刻出微流道，用打孔器在所述微流道的两端制作加样口；

采用键合技术在所述微流道层的表面粘合封装层，在高于低熔点金属的熔点的温度下，将低熔点金属灌注进所述微流道。