[发明专利]缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备有效

专利信息
申请号: 202010003659.8 申请日: 2020-01-03
公开(公告)号: CN111210859B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 邱柯妮;朱玉洁;赵雪;夏立雪 申请(专利权)人: 首都师范大学
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C7/08
代理公司: 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 代理人: 岳凤羽
地址: 100089 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 缓解 忆阻器 交叉 阵列 通路 影响 方法 相关 设备
【权利要求书】:

1.一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法,其特征在于,包括:

获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数;

根据所述放大系数调整对应的所述传感放大器的放大倍数,所述传感放大器用于根据所述放大系数对其对应阵列输出端的电流进行补偿;

所述方法还包括:

根据预先设置的分布规律对各所述放大系数进行验证;

若所述放大系数不符合所述分布规律,则对所述放大系数进行调整,以符合所述分布规律。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数,包括:

获取所述交叉阵列中各分支通路的预设输出电流值;

获取所述交叉阵列中各分支通路的实际输出电流值;

根据所述预设输出电流值和实际输出电流值计算得到各分支通路的所述放大系数。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述分布规律包括:

所述交叉阵列中各分支通路距离所述交叉阵列输入端越近所述放大系数越小。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述分布规律的获取方法包括:

基于预设的仿真工具搭建交叉阵列电路结构;

对所述交叉阵列电路结构设置不同的输入参数;

获取各所述输入参数下所述交叉阵列电路结构的输出结果;

对所述输出结果进行分析,得到所述分布规律。

5.一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的装置,其特征在于,包括:

获取模块,用于获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数;

调整模块,用于根据所述放大系数调整对应的所述传感放大器的放大倍数,所述传感放大器用于根据所述放大系数对其对应阵列输出端的电流进行补偿;

所述装置还包括:

验证模块,用于根据预先设置的分布规律对各所述放大系数进行验证;

所述调整模块,还用于在所述放大系数不符合所述分布规律时,对所述放大系数进行调整,以符合所述分布规律。

6.根据权利要求5 所述的装置,其特征在于,所述忆阻器交叉阵列包括:

依次连接的输入端、模数转换模块、忆阻器交叉阵列本体、传感放大器、数模转换模块、输出端。

7.一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的设备,其特征在于,包括:

处理器,以及与所述处理器相连接的存储器;

所述存储器用于存储计算机程序;

所述处理器用于调用并执行所述存储器中的所述计算机程序,以执行如权利要求1-4任一项所述的方法。

8.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时,实现如权利要求1-4任一项所述的方法。

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