[发明专利]镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法在审
申请号: | 202010003790.4 | 申请日: | 2020-01-03 |
公开(公告)号: | CN111146080A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 罗宇杰;吴质朴;何畏 | 申请(专利权)人: | 深圳市奥伦德元器件有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/3213 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 孙浩 |
地址: | 518100 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镓铝砷 外延 材料 表面 金属 返工 方法 | ||
1.一种镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法,其特征在于,包括:
对包含碘化铵和碘的混合溶液进行降温处理;
将待返工的镓铝砷晶圆浸泡至所述混合溶液中,若达到预设的第一浸泡时间,取出所述镓铝砷晶圆并采用去离子水进行一次清洗;
对硫酸溶液进行加热处理;
将经过所述一次清洗后的所述镓铝砷晶圆浸泡至所述硫酸溶液中,若达到预设的第二浸泡时间,取出所述镓铝砷晶圆并采用去离子水进行二次清洗;
若经过所述二次清洗后的所述镓铝砷晶圆表面检查无缺陷,对所述镓铝砷晶圆进行三次清洗和蒸镀金属层。
2.根据权利要求1所述的镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法,其特征在于,在所述将待返工的镓铝砷晶圆浸泡至所述混合溶液中,若达到预设的第一浸泡时间,取出所述镓铝砷晶圆并采用去离子水进行一次清洗,之前还包括:
将待返工的镓铝砷晶圆的无需返工的侧面涂覆光刻胶保护膜,并进行烘烤处理。
3.根据权利要求1所述的镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法,其特征在于:所述混合溶液由40克碘、280克碘化铵、1200毫升去离子水和800毫升含量为40%的盐酸混合而成。
4.根据权利要求1所述的镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法,其特征在于:所述硫酸溶液由600毫升浓硫酸、120毫升含量为30%的过氧化氢和120毫升的水混合而成。
5.根据权利要求1所述的镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法,其特征在于,所述对包含碘化铵和碘的混合溶液进行降温处理,包括:
将碘化铵和碘的混合溶液放置到冰水恒温槽内静置10分钟,使所述混合溶液的温度降低至0至5℃。
6.根据权利要求5所述的镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法,其特征在于,所述将待返工的镓铝砷晶圆浸泡至所述混合溶液中,若达到预设的第一浸泡时间,取出所述镓铝砷晶圆并采用去离子水进行一次清洗,包括:
将待返工的镓铝砷晶圆放置到花篮上,把所述花篮浸泡至所述混合溶液中,每隔2分钟提动花篮,若达到预设为10分钟的第一浸泡时间,取出所述花篮并采用去离子水对所述镓铝砷晶圆进行一次清洗。
7.根据权利要求6所述的镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法,其特征在于,所述对硫酸溶液进行加热处理,包括:
将硫酸溶液加热至40℃。
8.根据权利要求7所述的镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法,其特征在于,所述将经过所述一次清洗后的所述镓铝砷晶圆浸泡至所述硫酸溶液中,若达到预设的第二浸泡时间,取出所述镓铝砷晶圆并采用去离子水进行二次清洗,包括:
将经过所述一次清洗后的所述花篮浸泡至所述硫酸溶液中并提动,若达到预设为20秒的第二浸泡时间,取出所述花篮并采用去离子水对所述镓铝砷晶圆进行二次清洗。
9.根据权利要求1所述的镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法,其特征在于:所述金属层为金层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造