[发明专利]基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法

权利要求书

1.一种基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述探测方法包括：

将附着于衬底表面的转换体材料放置于慢中子辐照环境中，利用拉曼激光器激发所述转换体材料，并测量所述转换体材料中子辐射后的拉曼光谱；

对比所述转换体材料中子辐射后的拉曼光谱与标定剂量表中拉曼光谱的特征峰偏移量，确定所述慢中子辐照环境中的中子辐射剂量。

2.根据权利要求1所述的基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述转换体材料为¹⁰BN材料。

3.根据权利要求2所述的基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述¹⁰BN材料包括¹⁰BN纳米管、¹⁰BN二维材料或者¹⁰BN粉末中的任意一种材料。

4.根据权利要求1所述的基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述衬底材料的拉曼光谱谱线不在1200cm^-1~1500cm^-1范围内。

5.根据权利要求4所述的基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述衬底材料包括硅、氧化硅或者铝中的任意一种材料。

6.根据权利要求5所述的基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述衬底材料的杂质含量小于1%。

7.根据权利要求1所述的基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述标定剂量表中拉曼光谱与所述中子辐射剂量的对应关系通过如下步骤得到：

根据不同中子辐射剂量辐射第一转换体材料，得到第二转换体材料，并测量所述第二转换体材料对应的第二拉曼光谱；

基于所述第一转换体材料的第一拉曼光谱、所述第二拉曼光谱和第三转换体材料的第三拉曼光谱，确定标定剂量表；

其中，所述第二转换体材料为所述第一转换体材料向所述第三转换体材料转化的中间状态。

8.根据权利要求7所述的基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述基于所述第一转换体材料的第一拉曼光谱、所述第二拉曼光谱和第三转换体材料的第三拉曼光谱，确定标定剂量表，包括：

分别提取拉曼光谱的特征峰谱线，所述拉曼光谱包括所述第一拉曼光谱、所述第二拉曼光谱和所述第三拉曼光谱；

对所述特征峰谱线进行运算，得到所述第二转换体材料的转化率，并建立所述转化率与对应的中子辐射剂量的映射关系，得到所述标定剂量表。

9.根据权利要求7所述的基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述第一转换体材料为¹⁰BN材料，所述第三转换体材料为¹¹BN材料。

10.根据权利要求7至9中任意一项所述的基于拉曼光谱的中子辐射剂量探测方法，其特征在于，所述第一转换体材料和所述第三转换体材料为纳米管材料。