[发明专利]减少由将导电材料退火所致的晶体生长

说明书

本发明描述与减少由将导电材料退火所致的晶体生长相关的系统、设备及方法。一种实例性设备包含导电材料，所述导电材料经选择以具有由于退火而减小的电阻。稳定材料可形成在所述导电材料的表面上方。所述稳定材料可经选择以具有以下性质，包含：稳定所述导电材料的所述减小的电阻；及减小在所述退火期间由所述导电材料再结晶所致的相对于所述表面的晶体生长的自由度。

技术领域

本发明大体来说涉及半导体装置及方法，且更确切来说涉及减少由将导电材料退火所致的晶体生长。

背景技术

通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)及电阻式随机存取存储器(ReRAM)及快闪存储器以及其它存储器。一些类型的存储器装置可以是非易失性存储器(例如ReRAM)，且可用于需要高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的各种各样的电子应用。易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来维持其所存储的数据状态(例如，经由刷新过程)，这与非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)形成对比，非易失性存储器单元在无电时仍能维持其所存储的状态。例如DRAM单元等各种易失性存储器单元可比例如快闪存储器单元等各种非易失性存储器单元更快地操作(例如，编程、读取、擦除等)。影响经由导电路径的电及电子信号的传导的条件也可影响各种类型的存储器及电子装置的操作。

发明内容

附图说明

图1展示根据本发明的若干个实施例包含导电材料的示例性结构配置的一些部分的横截面图以图解说明在制作实例中导电材料上晶体生长的结果。

图2图解说明根据本发明的若干个实施例的另一材料的实例的横截面图，所述另一材料形成在晶体生长得以减少的导电材料的部分上方。

图3是根据本发明的若干个实施例的减少由将导电材料退火所致的晶体生长的实例性方法的流程图。

图4是根据本发明的若干个实施例的用于减少由将导电材料退火所致的晶体生长的另一实例性方法的流程图。

图5是根据本发明的一或多个实施例的包含至少一个存储器系统的计算系统的功能框图。

图6图解说明根据本发明的若干个实施例的存储器装置的半导体结构的实例的一部分的横截面图，所述存储器装置包含存取线、感测线及电极。

图7是根据本发明的若干个实施例的用于实施实例性半导体制作工艺的系统的功能框图。

具体实施方式

各种类型的存储器及电子装置可具有导电路径以使得能够存取及控制各种组件。所述导电路径可包含电极、存取线(例如，字线)及感测线(例如，位线)以及其它可能的导电路径以传导电及/或电子信号，例如指令及/或数据。可经由导电路径存取的组件可包含控制电路系统、感测放大器、存储器单元、晶体管及电容器以及其它可能的组件。各种类型的存储器及电子装置可具有形成为导电路径的一部分(例如，形成在导电路径内)的导电材料。