[发明专利]一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料

权利要求书

1.一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，其特征在于，包含如下步骤：

步骤①、制备SiC复合浆料，首先使用SiC微粉配制得到固含量为30-70%的SiC浆料，然后按照SiC∶Au∶Ag：Pd为（50-60）∶（0.3-0.6）∶1：（0.02-0.05）的质量比加入金粉和银粉和钯粉，混合均匀，得到SiC复合浆料；

步骤②、流延成型，对步骤①中得到的SiC复合浆料除泡混合均匀后，进行流延得到SiC复合流延膜；

步骤③、流延膜素烧，对步骤②得到的流延膜进行素烧，得到SiC复合素坯；

步骤④、真空烧结，将SiC符合素坯在真空状态下烧结，得到铝基碳化硅。

2.根据权利要求1所述的一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，其特征在于，在步骤①中所述SiC浆料是由30-70wt％的SiC微粉、3-5wt％的塑化剂、2-3wt％的分散剂和余量的水混合均匀球磨8-15h得到的。

3.根据权利要求1所述的一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，其特征在于，在步骤①中，所述SiC微粉的平均粒径不大于8微米。

4.根据权利要求1所述的一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，其特征在于，所述金粉和银粉的平均粒径不大于8微米，所述钯粉的平均粒径不大于5微米。

5.根据权利要求2所述的一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，其特征在于，所述塑化剂为聚乙二醇、聚乙烯醇和甘油中的任意一种或者几种的混合物。

6.根据权利要求2所述的一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，其特征在于，所述分散剂为柠檬酸铵、聚乙二醇和聚甲基丙烯酸胺中的任意一种。

7.根据权利要求1-6任一所述的一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，其特征在于，步骤③中，素烧温度为250-350℃，在步骤④中，真空烧结温度为800-900℃。

8.根据权利要求7所述的一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，其特征在于，在步骤④中，对SiC复合素坯烧结后对其进行不小于2h的保温，之后得到成品。