[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202010006531.7 | 申请日: | 2020-01-03 |
公开(公告)号: | CN111509003A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 朴埈贤;金瞳祐;文盛载;赵康文 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
基体基底,所述基体基底包括其中形成有像素的显示区域以及作为围绕所述显示区域的非显示区域的周边区域,其中,所述周边区域包括第一布线区域和电路区域;
在所述基体基底上设置的第一导电图案层;
在所述第一导电图案层上设置的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上设置的第二导电图案层;
在所述第二导电图案层上设置的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上设置的第三导电图案层;
在所述第一布线区域中设置的多条信号线,其中,所述多条信号线在第一方向上间隔开并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸;
在所述电路区域中设置的栅极信号发生器,其中,所述栅极信号发生器产生栅极信号并且将所述栅极信号传输到所述像素;以及
在所述周边区域中设置的多条连接线,其中,所述多条连接线在所述第一方向上延伸并且将所述信号线分别连接到所述栅极信号发生器,
其中,所述连接线由所述导电图案层的最下层或最上层形成,并且
所述信号线由彼此重叠的至少两层导电图案层形成。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:在所述显示区域中设置的薄膜晶体管,
其中,所述薄膜晶体管包括:
在所述基体基底上设置的下部导电图案;
与所述下部导电图案重叠的有源图案;
在所述有源图案上设置的栅电极;以及
电连接到所述有源图案的源电极和漏电极,
其中,所述下部导电图案和所述连接线由所述第一导电图案层形成,
所述栅电极由所述第二导电图案层形成,
所述源电极和所述漏电极由所述第三导电图案层形成,并且
所述信号线中的每条信号线由所述第二导电图案层和所述第三导电图案层形成。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
在所述基体基底的所述显示区域中设置的下部导电图案;以及
在所述显示区域中设置并与所述下部导电图案重叠的薄膜晶体管,
其中,所述薄膜晶体管包括:
与所述下部导电图案重叠的有源图案;
在所述有源图案上设置的栅电极;以及
电连接到所述有源图案的源电极和漏电极,
其中,所述下部导电图案由所述第一导电图案层形成,
所述栅电极由所述第二导电图案层形成,
所述源电极和所述漏电极以及所述连接线由所述第三导电图案层形成,并且
所述信号线中的每个信号线由所述第一导电图案层和所述第二导电图案层形成。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
在所述第三导电图案层上设置的第三绝缘层;以及
在所述第三绝缘层上设置的第四导电图案层。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述信号线由所述第一导电图案层、所述第二导电图案层和所述第三导电图案层形成,并且
所述连接线由所述第四导电图案层形成。
6.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述信号线由所述第二导电图案层、所述第三导电图案层和所述第四导电图案层形成,并且
所述连接线由所述第一导电图案层形成。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:绝缘图案,所述绝缘图案设置在所述第一绝缘层和所述第二导电图案层之间并且具有与所述第二导电图案层相同的平面形状,其中,
所述第三导电图案层的一部分通过贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的接触孔电连接到所述第一导电图案层的一部分,
所述第四导电图案层的一部分通过贯穿所述第三绝缘层的接触孔电连接到所述第三导电图案层的一部分。
8.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述信号线由所述第一导电图案层和所述第二导电图案层形成,并且
所述连接线包括由彼此重叠的所述第三导电图案层和所述第四导电图案层形成的两个层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的