[发明专利]一种全固态绝缘透波PVD膜层及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种全固态绝缘透波PVD膜层，其特征在于，所述全固态绝缘透波PVD膜层包括Si-M-N层；或者，所述Si-M-N层上还有Si-M-C层或/和L-O层，Si-M-N层作为打底层；其中，所述M为钨或铬或钛，L为硅、钛、铝、铬或锆；

所述全固态绝缘透波PVD膜层的制备方法包括以下步骤：

(1)将基材在自动化清洗线上完成液态清洗；

(2)将经步骤(1)处理后的基材放置于磁控溅射镀膜机内预抽真空；

(3)将经步骤(2)处理后的基材在磁控溅射镀膜机内进行辉光清洗；

(4)将经步骤(3)处理后的基材在磁控溅射镀膜机内进行膜层沉积；

(5)将经步骤(4)进行膜层沉积后的基材在真空状态下冷却至室温，出炉；

其中，所述步骤(4)中膜层沉积的是Si-M-N层；如果所述Si-M-N层上还有Si-M-C层或/和L-O层，所述步骤(4)中膜层沉积后还进行面层沉积，所述面层沉积的是Si-M-C层或/和L-O层；所述步骤(3)中辉光清洗是进入镀膜系统，冲入氩气使镀膜系统内部真空达到0.3～2Pa，启动偏压电源，设定偏压为300～1500V，占空比为20％～80％，时长5～30分钟；

所述步骤(4)中膜层沉积是进入镀膜系统，冲入氩气100～500sccm，充入氮气200～700sccm，启动偏压电源，设定偏压为100～200V，占空比为30～80％，待炉内环境稳定后同时开启硅靶和M靶，硅靶设定电流为10～20A，M靶设定电流为2～8A，时长60～180 分钟；

所述面层沉积是进入镀膜系统，冲入氩气100～500sccm，充入乙炔200～400sccm，启动偏压电源，设定偏压为100～200V，占空比为30～80％，待炉内环境稳定后同时开启硅靶和M靶，硅靶设定电流为10～20A，M靶设定电流为2～8A，时长60～180分钟；或进入镀膜系统，冲入氩气150～500sccm，充入氧气70～400sccm，启动偏压电源，设定偏压为100～200V，占空比为30～80％，待炉内环境稳定后开启L靶，L靶设定电流为5～20A，时长15～35分钟。

2.根据权利要求1所述的全固态绝缘透波PVD膜层，其特征在于，所述Si-M-N层中Si、M、N的原子比为5：1～2：7～10；所述Si-M-C层中Si、M、C的原子比为5：1～2：10～15；所述L-O层中氧原子占总原子比例大于或等于0.5。

3.根据权利要求2所述的全固态绝缘透波PVD膜层，其特征在于，所述Si-M-N层中Si、M、N的原子比为5：1：7；所述Si-M-C层中Si、M、C的原子比为5：1：10；所述L-O层中氧原子占总原子比例等于0.5。

4.根据权利要求1所述的全固态绝缘透波PVD膜层，其特征在于，所述Si-M-N层为灰色，Si-M-C层为黑色，L-O层为黄色、紫色、蓝色或绿色。

5.权利要求1所述全固态绝缘透波PVD膜层，其特征在于，所述步骤(1)中液态清洗是将基材放入清洗篮内，置入全自动清洗线，依次进行除油，除蜡，喷淋，漂洗，慢拉，烘烤流程。

6.权利要求1-4任一项所述全固态绝缘透波PVD膜层的应用，其特征在于，所述应用是将全固态绝缘透波PVD膜层用于无机材料中的一种或多种组成的一体基材上。

7.权利要求6所述全固态绝缘透波PVD膜层的应用，其特征在于，所述无机材料是陶瓷、玻璃或蓝宝石。