[发明专利]一种限流保护电路及其控制方法在审
申请号: | 202010007537.6 | 申请日: | 2020-01-04 |
公开(公告)号: | CN111064159A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 李元俊;高山和昌 | 申请(专利权)人: | 新考思莫施电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08;H02H3/087;H02H3/093;H02H3/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201600 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 限流 保护 电路 及其 控制 方法 | ||
1.一种限流保护电路,设置于电源端(1)与设备端之间,其特征在于,包括:
第一回路,其一端与所述电源端(1)电连接,另一端依次连接第一开关件(2)、设备端输入接口(3)、设备端输出接口(4)后接地,所述第一开关件(2)连接配置有第一触发件(5),所述第一开关件(2)响应于所述第一触发件(5)的触发状态控制所述第一回路的通断;
第二回路,其一端与所述电源端(1)电连接,另一端连接第二开关件(6)后接地,所述第二开关件(6)连接配置有第二触发件,所述第二开关件(6)响应于第二触发件的触发状态控制所述第二回路的通断,当所述第二回路导通时,所述第二触发件关断所述第二开关件(6);
其中,所述第二开关件(6)配置为集电极与发射极串接入所述第二回路的开关三极管Q2,所述第二触发件包括串联设置于所述第一回路中的电阻模块(8),所述电阻模块(8)的两端分别与所述开关三极管Q2的基极与发射极耦接,所述电阻模块(8)包括多个并联设置的第一电阻,其中至少一个所述第一电阻配置为可调电阻。
2.根据权利要求1所述的限流保护电路,其特征在于,所述第一开关件(2)配置为PMOS管,所述PMOS管的源极经所述电阻模块(8)与所述电源端(1)电连接,所述PMOS管的栅极接地,所述PMOS管的漏极与设备端接口电连接;
所述第一触发件(5)配置为一触发电阻R5,所述触发电阻R5与所述PMOS管源极以及栅极并联设置。
3.根据权利要求2所述的限流保护电路,其特征在于,所述开关三极管Q2的集电极与所述PMOS管的栅极相连接后经第三开关件(9)接地;
其中,所述第三开关件(9)配置为一导通三极管,所述导通三极管的基极与一控制信号耦接,响应于所述控制信号控制所述导通三极管的集电极以及所述PMOS管栅极的接地状态。
4.根据权利要求3所述的限流保护电路,其特征在于,所述限流保护电路中还配置有:
过流检测组件(12),配置为用于检测第一回路中电流的过流值,输出检测值信号;
过流判定组件(13),配置为接收所述检测值信号并将其与一参考电压相比较,基于比较结果输出所述控制信号。
5.根据权利要求4所述的限流保护电路,其特征在于,
所述过流检测组件(12)包括一串接于所述第一回路中的第三电阻R7以及一与所述第三电阻R7并联且基于第一比较器D1设置的减法器电路,所述减法器电路采集并输出所述第三电阻R7两端的电压差值,即所述检测值信号;
所述过流判定组件(13)包括一第二比较器D2,所述第二比较器D2接收所述电压差值并将其与所述参考电压相比较,基于比较结果输出所述控制信号。
6.根据权利要求5所述的限流保护电路,其特征在于,所述过流判定组件中还配置有控制单元;其中,所述控制单元包括:
延时模块,配置为与所述第二比较器D2的比较输出端耦接,接收并响应于所述第二比较器D2的输出结果,输出设定时长的延时信号;
过流值计算模块,配置为与所述减法器电路的输出端电连接,接收所述减法器电路的电压差值并将其与一设定值做比较,输出差值信号;
积分运算模块,配置为与所述延时模块以及过流值计算模块信号连接,接收所述差值信号以及所述延时信号,在设定的延时时间内对所述差值信号进行积分,输出积分运算值;
关断触发模块,配置为与所述积分运算模块信号连接,接收所述积分运算值并将其与设定触发值作比较,若其达到设定触发值后输出控制信号,关断所述导通三极管。
7.根据权利要求1所述的限流保护电路,其特征在于,所述电阻模块(8)与电源端(1)之间串联设置有上拉电阻R3;
所述设备端输出接口(4)串联设置下拉电阻R4后接地;
所述上拉电阻R3远离所述电源端(1)一端与所述下拉电阻R4靠近设备端输出接口(4)一端之间串联有一电容(11);
所述电容(11)的正极与所述上拉电阻R3相接,负极与所述下拉电阻R4相接。
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