[发明专利]自偏置温度补偿齐纳基准

权利要求书

1.一种设备，其特征在于，包括：

与绝对温度成比例的PTAT电流源(102)；

与绝对温度互补的CTAT电流源(103)；

齐纳二极管(101)，所述PTAT电流源(102)耦合到所述齐纳二极管(101)的第一齐纳二极管端，并且所述CTAT电流源(103)耦合到所述齐纳二极管(101)的所述第一齐纳二极管端，所述PTAT电流源(102)提供PTAT电流且所述CTAT电流源(103)提供CTAT电流，其中所述PTAT电流和所述CTAT电流组合以提供温度补偿偏置电流，所述PTAT电流源(102)的电压输出耦合到所述CTAT电流源(103)的CTAT电流源控制端。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括：

电压降(104)，所述电压降(104)具有耦合到所述第一齐纳二极管端的第一电压降端和耦合到所述PTAT电流源(102)的温度稳定供应电压输入端的第二电压降端。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，进一步包括：

输出按比例缩放电路(105)，所述输出按比例缩放电路(105)具有耦合到所述第二电压降端的第一输出按比例缩放电路端，所述输出按比例缩放电路提供输出基准电压(VOUT)。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的设备，其特征在于，所述电压降(104)是电阻器(201)。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述CTAT电流源(103)包括第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合到所述CTAT电流源控制端的第一端、耦合到CTAT电流源电阻器(211)的第二端和耦合到CTAT电流源电流镜(212、213)的第三端。

6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述第三端进一步耦合到第一PTAT晶体管(205)的第一PTAT晶体管基极端、耦合到第二PTAT晶体管(204)的第二PTAT晶体管基极端和耦合到第三PTAT晶体管(207)的第三PTAT晶体管基极端。

7.一种用于提供输出基准电压的方法，其特征在于，包括：

向齐纳二极管(101)提供与绝对温度成比例的PTAT电流；

向所述齐纳二极管(101)提供与绝对温度互补的CTAT电流；

向电压降(104)提供齐纳二极管电压输出电流；

使等于所述PTAT电流和所述CTAT电流之和减去所述齐纳二极管电压输出电流的齐纳二极管电流通过所述齐纳二极管(101)，所述PTAT电流源(102)的电压输出耦合到所述CTAT电流源(103)的CTAT电流源控制端。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：

向PTAT电流源(102)提供从所述电压降接收的温度稳定电压信号。

9.一种集成电路，其特征在于，包括：

与绝对温度成比例的PTAT电流源(102)；

与绝对温度互补的CTAT电流源(103)；

齐纳二极管(101)，其中所述PTAT电流源(102)耦合到所述齐纳二极管(101)，其中所述CTAT电流源(103)耦合到所述齐纳二极管(101)，其中所述PTAT电流源(102)包括第一PTAT晶体管(205)和PTAT电流源电阻器(206)，所述PTAT电流源电阻器(206)在第一PTAT电流源电阻器端处耦合到所述第一PTAT晶体管(205)的第一PTAT晶体管发射极端并在第二PTAT电流源电阻器端处耦合到接地电压(110)，其中所述CTAT电流源(103)包括CTAT电流源电阻器(211)，所述CTAT电流源电阻器(211)在第一CTAT电流源电阻器端处耦合到所述第一PTAT晶体管(205)的第一PTAT晶体管基极端并在第二CTAT电流源电阻器端处耦合到所述接地电压(110)，其中PTAT电流源(102)基于所述PTAT电流源电阻器(206)的PTAT 电流源电阻器电阻提供PTAT电流，并且所述CTAT电流源(103)基于所述CTAT电流源电阻器(211)的CTAT电流源电阻器电阻提供CTAT电流，其中所述PTAT电流和所述CTAT电流的组合的至少一部分使所述齐纳二极管(101)偏置。