[发明专利]一种半导体封装结构及一种半导体封装的制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一承载基板，在所述承载基板的上表面形成一粘结层；

2)接着在所述承载基板的上表面形成第一钝化层；

3)接着在所述第一钝化层上形成第一介质层，接着在所述第一介质层的部分区域形成多个第一开口，接着在所述第一开口中以及在所述第一介质层的上表面形成第一金属线路层，接着通过激光烧蚀工艺在所述第一金属线路层中形成多个第一微孔，接着在所述第一金属线路层上沉积介质材料形成第二介质层，其中，部分的介质材料填充在所述第一金属线路层中的所述第一微孔中，接着在所述第二介质层的部分区域形成多个第二开口，所述第二开口暴露部分的所述第一金属线路层，接着在所述第二开口中以及在所述第二介质层的上表面形成第二金属线路层，接着通过激光烧蚀工艺在所述第二金属线路层中形成多个第二微孔，接着在所述第二金属线路层上沉积介质材料形成第三介质层，其中，部分的介质材料填充在所述第二金属线路层中的所述第二微孔中，接着在所述第三介质层上沉积第二钝化层；

4)接着在所述第二钝化层以及所述第三介质层中形成第一开孔，以暴露部分的所述第二金属线路层；

5)接着在暴露的所述第二金属线路层上形成焊料柱，接着通过回流焊工艺将半导体芯片安装到所述焊料柱上，然后利用第二激光照射所述焊料柱，以在所述焊料柱的表面形成多个微凹孔；

6)接着在第二钝化层上形成模塑料，所述模塑料完全覆盖所述半导体芯片且填充所述半导体芯片与所述第二钝化层之间的间隙，部分的所述模塑料嵌入到所述焊料柱表面的所述微凹孔中；

7)接着除去所述粘结层和所述承载基板，使得所述第一钝化层的一表面暴露，然后在所述第一钝化层的暴露的表面上形成阻焊层，接着在所述第一钝化层和所述阻焊层中形成第二开孔，接着在所述第二开孔中形成焊球。

2.根据权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于：在所述步骤2)中，所述第一钝化层的材质为氧化铝、氧化硅、氧化锆中的一种或多种，所述第一钝化层的制造方法为ALD或PECVD，所述第一钝化层的厚度为300-800纳米。

3.根据权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于：在所述步骤3)中，所述第一、第二、第三介质层的材料为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种，所述第一、第二、第三介质层的制造方法为PECVD法，所述第一、第二金属线路层的材料为金、银、铜、铝、钛、钯中的一种或多种，所述第一、第二金属线路层的制造方法为热蒸镀、磁控溅射、电子束蒸发中的一种，多个所述第一微孔的总面积与所述第一金属线路层的总面积的比值为0.1-0.2，多个所述第二微孔的总面积与所述第二金属线路层的总面积的比值为0.15-0.3，形成所述第一微孔和所述第二微孔的激光烧蚀工艺具体参数为：激光器的功率为50-100W，激光器的光斑直径为的300-500微米，所述第二钝化层的材质为氧化铝、氧化硅、氧化锆中的一种或多种，所述第二钝化层的制造方法为ALD或PECVD，所述第二钝化层的厚度为1-2微米。

4.根据权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于：在所述步骤4)中，形成所述第一开孔的方法为湿法刻蚀或者干法刻蚀。

5.根据权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于：在所述步骤5)中，所述焊料柱的材料为锡基焊料、银焊料或铜焊料，通过回流焊工艺将所述半导体芯片安装到所述焊料柱上，所述第二激光照射的具体参数为：激光器的功率为20-40W，激光器的光斑直径为的100-200微米，在所述焊料柱的表面照射10-50秒以形成一个微凹孔，接着不断转移激光器的照射位置而形成多个所述微凹孔。

6.根据权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于：在所述步骤6)中，所述模塑料的材料为环氧树脂。

7.根据权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于：在所述步骤7)中，通过激光照射所述粘结层使得粘结层失去粘性，而将所述粘结层和所述承载基板剥离。

8.一种半导体封装结构，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制造形成的。