[发明专利]存储器控制器、存储器系统及其操作方法在审
申请号: | 202010008418.2 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN111833949A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 柳载悳;沈烔敎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/30;G11C16/10;G11C16/04 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 史泉;王兆赓 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 控制器 系统 及其 操作方法 | ||
提供了存储器控制器、存储器系统及其操作方法。当接收到针对第一块的数据写入请求时,确定表示在擦除第一块之后经过的时间段的擦除编程间隔(EPI)。当确定的EPI等于或小于参考时间时,基于从多种操作条件之中选择的第一操作条件将数据编程到第一块。当确定的EPI大于参考时间时,基于从所述多种操作条件之中选择的第二操作条件将数据编程到第一块。
本申请要求于2019年4月16日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0044478号韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的公开通过引用整体包含于此。
技术领域
发明构思涉及存储器控制器和存储器系统,更具体地,涉及提供改进的阈值电压分布特性的存储器控制器和存储器系统以及相关的操作方法。
背景技术
存储器系统通常包括存储器控制器和一个或多个存储器装置(诸如,非易失性存储器装置)。非易失性存储器装置(诸如,闪存装置)被广泛用在蜂窝电话、数码相机、个人数字助理(PDA)、移动计算机装置、固定式计算机装置以及其他装置中。
闪存装置包括多个存储器单元的块,其中,多个块中的每个包括多个存储器单元的页。在闪存装置中,块的擦除编程间隔(EPI)可对应于在已经对该块执行擦除操作之后直到将执行该块的编程(PGM)操作经过的时间段。鉴于一些闪存装置的特性,在EPI长的情况下,闪存装置的阈值电压分布特性会劣化,结果,数据的可靠性会劣化。
发明内容
发明构思提供了尽管相对长的擦除编程间隔(EPI)也能够减小或防止数据的可靠性的劣化的存储器控制器、非易失性存储器装置和存储器系统及其相关操作。
根据发明构思的一个方面,提供一种存储器系统的操作方法,所述存储器系统包括具有多个块的存储器装置。当接收到针对第一块的数据写入请求时,可确定表示在擦除第一块之后经过的时间段的擦除编程间隔(EPI)。响应于确定的EPI等于或小于参考时间,可基于从多种操作条件之中选择的第一操作条件将数据编程到第一块,响应于确定的EPI大于参考时间,可基于从所述多种操作条件之中选择的第二操作条件将数据编程到第一块。
根据发明构思的另一方面,一种被配置为控制包括多个块的存储器装置的存储器控制器可包括:主机接口,被配置为与主机通信并从主机接收数据写入请求和地址;擦除编程间隔(EPI)检测器,被配置为确定表示在擦除存储器装置的所述多个块中的数据写入请求所指向的第一块之后经过的时间段的EPI;以及控制信息生成器,被配置为输出指示基于确定的EPI从多种操作条件之中选择的一种操作条件的控制信息,以使数据将根据所述一种操作条件被写入第一块。
根据发明构思的另一方面,一种存储器系统包括具有多个块的存储器装置,其中,存储器装置包括:电压生成器,被配置为生成用于针对所述多个块的写入操作的编程电压和验证电压;以及控制逻辑,被配置为:当接收到针对第一块的数据写入请求时,响应于表示在擦除第一块之后经过的时间段的擦除编程间隔(EPI),设置编程电压和验证电压中至少一个的电平。
附图说明
从下面的结合附图的详细描述,将更清楚地理解发明构思的实施例,其中:
图1是根据实施例的存储器系统的框图;
图2是图1的存储器控制器的实现示例的框图;
图3是图1的存储器装置的实现示例的框图;
图4是根据示例实施例的存储器系统的操作方法的流程图;
图5和图6是根据示例实施例的将数据写入块的示例的构思图;
图7至图10、图11A和图11B是根据示例实施例的改变操作条件的示例的示图;
图12是根据示例实施例的读取操作的流程图;
图13是根据可修改的实施例的写入数据的示例的框图;
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