[发明专利]一种多器件并联功率模块的布局电路板

权利要求书

1.一种多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，包括：PCB板以及位于所述PCB板上的所述多器件并联功率模块；所述多器件并联功率模块包括：碳化硅器件并联模块、负载正极输出端子、负载负极输出端子、栅极驱动信号端子、辅助源极驱动信号端子、漏极功率汇集端子、源极功率汇集端子以及退耦合电容并联模块；所述碳化硅器件并联模块中包括多个直接并联的碳化硅器件；所述退耦合电容并联模块中包括多个直接并联的退耦合电容；

所述负载正极输出端子分别与多个碳化硅器件各自的漏极功率端子以及多个退耦合电容各自的正极性端子连接；所述负载负极输出端子分别与多个碳化硅器件各自的源极功率端子以及多个退耦合电容各自的负极性端子连接；所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子通过第一莲花形BNC接口引出；所述第一莲花形BNC接口位于所述PCB板中心；多个所述碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；多个所述退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；

所述栅极驱动信号端子分别与多个碳化硅器件各自的栅极信号端子连接；所述辅助源极驱动信号端子分别与多个碳化硅器件各自的辅助源极信号端子连接；所述栅极驱动信号端子和所述辅助源极信号端子通过第二莲花形BNC接口引出；所述第二莲花形BNC接口紧邻所述第一莲花形BNC接口布置；

所述漏极功率汇集端子与所述负载正极输出端子连接；所述源极功率汇集端子与所述负载负极输出端子连接；所述漏极功率汇集端子与所述源极功率汇集端子布置在所述PCB板外围。

2.根据权利要求1所述的多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，当所述碳化硅器件并联模块中直接并联的所述碳化硅器件的数量N≤8时，所述PCB板的形状为正N边形或圆形。

3.根据权利要求1所述的多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，当所述碳化硅器件并联模块中直接并联的所述碳化硅器件的数量N8时，所述PCB板的形状为圆形。

4.根据权利要求1所述的多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，所述碳化硅器件并联模块中每个所述碳化硅器件的引脚端与所述第一莲花形BNC接口的距离均相等；相邻两个所述碳化硅器件之间的角度间隔为360°/N；N为所述碳化硅器件并联模块中直接并联的所述碳化硅器件的数量。

5.根据权利要求4所述的多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，每个所述碳化硅器件的引脚端均朝向远离所述第一莲花形BNC接口的一侧。

6.根据权利要求1所述的多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，所述退耦合电容并联模块中每个所述退耦合电容的正极性端子与所述第一莲花形BNC接口的距离均相等；相邻两个所述退耦合电容之间的角度间隔为360°/M；M为所述退耦合电容并联模块中直接并联的所述退耦合电容的数量。

7.根据权利要求6所述的多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，每个所述退耦合电容的正极性端子均朝向靠近所述第一莲花形BNC接口的一侧；每个所述退耦合电容的负极性端子均朝向远离所述第一莲花形BNC接口的一侧。

8.根据权利要求1所述的多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，多个所述退耦合电容围成的圆周位于多个所述碳化硅器件围成的圆周外围。

9.根据权利要求1所述的多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，所述第一莲花形BNC接口与所述第二莲花形BNC接口之间间隔5mm。

10.根据权利要求1所述的多器件并联功率模块的布局电路板，其特征在于，所述碳化硅器件并联模块中直接并联的所述碳化硅器件的数量N＝5；所述退耦合电容并联模块中直接并联的所述退耦合电容的数量M＝20；所述PCB板的形状为正五边形。