[发明专利]半导体器件和显示装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

第一氧化物半导体层；

与所述第一氧化物半导体层相对的第一栅极电极；

位于所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极电极之间的第一栅极绝缘层；

覆盖所述第一氧化物半导体层，并且设置有第一开口的第一绝缘层；

设置在所述第一绝缘层的上方和所述第一开口的内部，与所述第一氧化物半导体层电连接的第一导电层；和

设置在所述第一绝缘层的上表面与所述第一导电层之间的氧化物层，

在俯视时不与所述第一导电层重叠的区域中，所述第一绝缘层从所述氧化物层露出。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在所述氧化物层设置有俯视时与所述第一开口重叠的第二开口。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一导电层在所述第二开口的侧壁，与所述氧化物层接触。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

俯视时，所述氧化物层的图案与所述第一导电层的图案是大致相同的图案。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述氧化物层含有Ar。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一绝缘层为氧化绝缘层，

所述氧化物层是组分与所述第一绝缘层相同的氧化绝缘层，

所述氧化物层的氧的组分比大于所述第一绝缘层的氧的组分比。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在所述第一氧化物半导体层的上方还具有与所述第一氧化物半导体层接触的第一电极，

所述第一栅极电极设置在所述第一氧化物半导体层的下方，

所述第一导电层在所述第一开口的底部，与所述第一电极接触。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

还具有第二导电层，该第二导电层相对于所述第一氧化物半导体层设置在与所述第一栅极电极相反一侧，且俯视时与所述第一氧化物半导体层重叠，

所述第一绝缘层设置在所述第一氧化物半导体层与所述第二导电层之间，

所述氧化物层设置在所述第一绝缘层的上表面与所述第二导电层之间。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具有：

设置在与所述第一栅极绝缘层相同层的绝缘层的下方的第二栅极电极；

与所述第二栅极电极相对的半导体层；

位于所述第二栅极电极与所述半导体层之间的第二栅极绝缘层；和

与所述半导体层电连接的第二电极。

10.一种显示装置，其特征在于，具有：

权利要求1至9中任一项所述的半导体器件；

第二绝缘层，其设置在所述半导体器件之上，且设置有到达所述第一导电层的第三开口；和

像素电极，其设置在所述第二绝缘层之上和所述第三开口的内部，且与所述第一导电层连接。

11.一种半导体器件，其特征在于，具有：

第一氧化物半导体层；

与所述第一氧化物半导体层相对的第一栅极电极；

位于所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极电极之间的第一栅极绝缘层；

第一绝缘层，其覆盖所述第一氧化物半导体层，且设置有第一开口；

第一导电层，其设置在所述第一绝缘层的上方和所述第一开口的内部，且与所述第一氧化物半导体层电连接；和

氧化物层，其为半导体或者导体，设置在所述第一绝缘层的上表面与所述第一导电层之间。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：

在所述氧化物层设置有俯视时与所述第一开口重叠的第二开口。