[发明专利]一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法有效
| 申请号： | 202010009169.9 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111218657B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王喆;沈琦;王波;张铭;吕广宏 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/30;C23C14/28 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非晶钨基高熵 合金 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钨基非晶高熵合金薄膜材料，其特征在于，沉积于衬底表面的高熵合金薄膜材料为WTaCrVTiZrAl七元高熵合金，各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W 10-40％，Ta 5-30％，Cr 5-25％，V 5-15％，Ti 5-15％，Zr 5-25％，Al 5％-20％，该合金为非晶相。
2.按照权利要求1所述的一种钨基非晶高熵合金薄膜材料，其特征在于，所述合金X射线衍射(XRD)半峰宽均大于3°。
3.制备权利要求1所述的钨基非晶高熵合金薄膜材料的方法，包括磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发中的一种或几种。
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