[发明专利]一种MIS-硅异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种MIS-硅异质结太阳电池，其特征在于，按从上到下，所述MIS-硅异质结太阳电池结构依次为：前表面载流子传输层、前表面钝化层、半导体吸收层、背表面钝化层、背表面载流子传输层，所述前表面载流子传输层由前表面栅线电极、前表面透明导电膜和前表面载流子传输膜构成；所述前表面钝化层由前表面遂穿层构成；所述背表面钝化层由背表面遂穿层构成；所述背表面载流子传输层由背表面载流子传输膜、背表面透明导电膜和背表面电极构成；所述半导体吸收层为n型单晶硅片，经酸溶液抛光20-60s，体积比计，酸溶液组成为：58wt%-硝酸:40wt%-氢氟酸:99.5wt%-冰乙酸=5:3:3，并用去离子水喷淋5分钟，使硅片表面干净；然后将硅片浸泡在120℃发烟硝酸溶液中进行湿法化学氧化10-20分钟，使硅片前后表面形成一薄层超薄氧化硅膜层，其中前表面的超薄氧化硅为前表面遂穿层，厚度1.5nm，背表面的超薄氧化硅为背表面遂穿层，厚度1.5 nm；

再将硅片用去离子水冲洗干净，并用高纯氮气充分吹干后备用，或者烘干后备用；将吹干或者烘干的硅片放置在原子层沉积腔体中，在前表面遂穿层沉积氧化钼层为前表面载流子传输膜，其厚度为7 nm；背表面遂穿层沉积氧化钛为背表面载流子传输膜，其厚度为10nm；然后将制备好遂穿层、载流子传输层的硅片放置在磁控溅射腔体，在前表面沉积铟锡氧化物为前表面透明导电膜，厚度70nm；在背表面沉积氧化锌透明导电膜，为背表面透明导电膜，厚度为120 nm；

最后将制备好遂穿膜、载流子传输层和透明导电膜的硅片放在热蒸发腔体内，采用掩膜版栅线宽度为20微米的掩膜方式在前表面沉积栅线银电极为前表面栅线电极，厚度为100 nm；背表面蒸发铝膜层为背表面电极，厚度为1000 nm。

2.根据权利要求1所述的MIS-硅异质结太阳电池，其特征在于，硅片用冷热去离子水浸泡清洗时，冷去离子水温度为室温；热去离子水温度为70-100℃；氧化钼层具体沉积参数为：硅片温度为100℃、腔体压强为7.5 × 10^-3mTorr，源为(NtBu)₂(NMe₂)₂Mo，循环75次；氧化钛沉积参数为：硅片温度为100℃、腔体压强为7.5 × 10^-3 mTorr，源为TDMAT，循环75次；铟锡氧化物沉积参数为：ITO作为靶材，硅片温度200度，腔体压强8 × 10^-4 Pa，10分钟；氧化锌透明导电膜的沉积参数为：氧化锌作为靶材，硅片温度200℃，腔体压强5 × 10^-3 Pa，25分钟；栅线银电极的面积覆盖率10%；栅线银电极的沉积参数：硅片温度200℃，腔体压强1× 10^-4 Pa，20分钟。