[发明专利]电压变换电路有效
申请号: | 202010010423.7 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN113078816B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 王俊;龚宏国 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;H02M1/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 变换 电路 | ||
1.一种电压变换电路,包括:
开关电路,适于基于输入信号,在开关节点处输出节点信号,所述节点信号与所述输入信号的相位相同;
电压转换电路,适于根据接收的节点信号进入充电模式或放电模式以输出输出信号,并对所述开关节点处接收的节点信号进行滤波;
其特征在于,还包括:
自激振荡消除电路,适于当所述开关节点处产生高频振荡信号时,将该高频振荡信号进行释放;
所述自激振荡消除电路包括:
第一电容,第一端与所述开关节点耦接;
第一NMOS管,其漏极与所述开关节点耦接,源极接地;
第二NMOS管,其漏极与所述第一电容的第二端耦接,源极接地,栅极与所述第一NMOS管的栅极耦接;以及
偏置电流源,第一端与所述第二NMOS管的漏极耦接,第二端接收电流信号。
2.根据权利要求1所述的电压变换电路,其特征在于,所述自激振荡消除电路通过将高频振荡信号流入到地进行释放而消除自激振荡信号。
3.根据权利要求1所述的电压变换电路,其特征在于,所述第一NMOS管还适于为所述节点处提供低频微电流释放通路。
4.根据权利要求1所述的电压变换电路,其特征在于,所述自激振荡消除电路为所述开关节点的高频振荡信号提供等效阻抗为第一阻抗的接地通路,且为所述开关节点处的低频信号提供等效阻抗为第二阻抗的接地通路,所述第一阻抗小于第二阻抗。
5.根据权利要求4所述的电压变换电路,其特征在于,所述第一阻抗为:
其中,gmM1为所述第一NMOS管的跨导,gmM2为所述第二NMOS管的跨导。
6.根据权利要求4所述的电压变换电路,其特征在于,所述第二阻抗为:
r2=rdsM1
其中,rdsM1为所述第一NMOS管漏极与源极间的等效阻抗。
7.根据权利要求1所述的电压变换电路,其特征在于,所述开关电路包括:驱动器,适于接收输入信号,并输出驱动信号,所述驱动信号与所述输入信号反相。
8.根据权利要求7所述的电压变换电路,其特征在于,所述开关电路还包括:开关PMOS管,适于在所述驱动信号为低电平时导通,并向所述电压转换电路输出高电平;以及
开关NMOS管,适于在所述驱动信号为高电平时导通,并向所述电压转换电路输出低电平。
9.根据权利要求1所述的电压变换电路,其特征在于,所述电压转换电路包括:
电感,第一端与所述开关节点耦接;以及
第二电容,第一端与所述电感的第二端耦接,第二端接地。
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