[发明专利]一种提高阵列自由度和虚拟孔径的阵列设置方法

权利要求书

1.一种提高阵列自由度和虚拟孔径的阵列设置方法，该方法包括以下步骤：

步骤1：根据给定的阵元数W确定改进型互质阵列两个子阵的阵元数量m和n；

步骤2：根据m和n确定两个子阵的阵列间隔d_m和d_n；

步骤3：根据m、n、d_m和d_n确定两个子阵的阵元位置S_m和S_n；

步骤4：构成最终的改进型互质阵列，该阵列阵元位置可表示为S＝S_m∪S_n。

2.根据权利要求1所述的一种提高阵列自由度和虚拟孔径的阵列设置方法，其特征在于，步骤1所述两子阵列的阵元数量m和n为：

(1)当总阵元数W为3的倍数时，即表示为W＝3k，则令R＝k，n＝W-m，q＝0；

(2)当总阵元数W为3的倍数加1时，即表示为W＝3k+1，则令R＝k，n＝W-m，令，q＝1；

(3)当总阵元数W为3的倍数加2时，即表示为W＝3k+2，则令R＝k+1，n＝W-m，q＝2。

3.根据权利要求1所述的一种提高阵列自由度和虚拟孔径的阵列设置方法，其特征在于，步骤2所述的两个子阵列的阵列间隔d_m和d_n为：

(1)子阵列1为含有m个阵元且阵元间距为(R+1)d的均匀线阵，其中d为入射信号半波长；

(2)子阵列2为含有n个阵元且阵元间距为Rd的均匀线阵。

4.根据权利要求1所述的一种提高阵列自由度和虚拟孔径的阵列设置方法，其特征在于，步骤3所述的两个子阵的阵元位置S_m和S_n为：

(1)子阵列2为含有n个阵元，其阵元位置表示为：S_n＝{0,R,…,(n-1)Rd}；

(2)子阵列1为含有m个阵元，其阵元位置表示为：

当q＝0或q＝1时，S_m＝{0,(R+1)d,…,(m-1)(R+1)d}+(R(R+q)+1)d；

当q＝2时，S_m＝{0,(R+1)d,…,(m-1)(R+1)d}+(R²+1)d。