[发明专利]一种晶圆吸盘保护装置及半导体制造设备有效
| 申请号： | 202010011488.3 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078091B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 杨艳秋;徐旻;石锗元;栾园翔 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理有限公司 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 102600 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 吸盘 保护装置 半导体 制造 设备 | ||
1.一种晶圆吸盘保护装置，所述晶圆吸盘用于吸附晶圆，其特征在于，所述装置包括：
第一环状结构，所述第一环状结构包括具有第一厚度的基体，其中，所述基体的内壁用于与所述晶圆吸盘配合，所述基体的上表面用于与所述晶圆的下表面的边缘部分配合，所述第一环状结构用于聚焦等离子体；以及
第二环状结构，具有第二厚度，设置于所述第一环状结构下，用于支撑所述第一环状结构，所述第一环状结构的外径尺寸大于所述第二环状结构的外径尺寸；
其中，所述第一环状结构和所述第二环状结构的材料为石英。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一环状结构覆盖所述第二环状结构的上表面。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一环状结构的下表面和所述第二环状结构的上表面配合。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一环状结构包括位于所述基体的下表面的环状凸起，所述第二环状结构的上表面具有与所述环状凸起配合的凹陷区。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一环状结构的基体上具有横截面为环状的环状凸起，所述环状凸起的内壁用于与所述晶圆的外缘配合，所述环状凸起的厚度大于或等于所述晶圆的厚度，所述环状凸起的内周的直径大于或等于所述晶圆的外周的直径。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一厚度小于所述第二厚度。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二环状结构的内壁用于与所述晶圆吸盘配合。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述晶圆吸盘保护装置用于保护等离子体刻蚀设备、化学气相沉积设备或者物理气相沉积设备中的晶圆吸盘。
9.一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：晶圆吸盘和如权利要求1-8中任意一项所述的晶圆吸盘保护装置。
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述半导体制造设备用于等离子体刻蚀、化学气相沉积或者物理气相沉积。
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