[发明专利]用于静电防护的晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，包括：

衬底和形成于所述衬底上部的第一掺杂区；

形成于所述衬底表面的多个场氧化层；

依次形成于所述第一掺杂区上部的第一N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区和第二N型阱区，所述第一P型阱区和所述第二P型阱区之间被所述第一掺杂区隔开；

形成于所述第一掺杂区中部的第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂类型相反，所述第一掺杂区为浅掺杂的N型区域，所述第二掺杂区为P型掺杂区域，且所述第二掺杂区位于所述第一P型阱区和所述第二P型阱区之间，分别与所述第一P型阱区和所述第二P型阱区部分交叠，并位于所述第一P型阱区和所述第二P型阱区的下部；

分别形成于所述第一N型阱区和所述第二N型阱区中的第一N+区域和第二N+区域；以及

形成于所述第一掺杂区上部且位于所述第二掺杂区上方的P+区域。

2.根据权利要求1所述的用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，分别由所述第一N+区域和所述第二N+区域引出所述晶体管结构的第一阴极和第二阴极；由所述P+区域引出所述晶体管结构的阳极。

3.根据权利要求2所述的用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构在正向工作时，所述P+区域、位于所述第二掺杂区上方的所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和位于所述第二掺杂区下方的所述第一掺杂区之间形成穿通电流。

4.根据权利要求1所述的用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，所述第一N型阱区与所述第一P型阱区相邻，所述第二N型阱区与所述第二P型阱区相邻。

5.根据权利要求1所述的用于静电防护的晶体管结构，其特征在于，所述第一N+区域与所述P+区域之间形成有第一场氧化层，所述P+区域与所述第二N+区域之间形成有第二场氧化层。

6.一种用于静电防护的晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成衬底和位于所述衬底上部的第一掺杂区；

在所述衬底表面形成多个场氧化层；

形成位于所述第一掺杂区中部的第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂类型相反，所述第一掺杂区为浅掺杂的N型区域，所述第二掺杂区为P型掺杂区域；

在所述第一掺杂区上部依次形成第一N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区和第二N型阱区，所述第一P型阱区和所述第二P型阱区之间被所述第一掺杂区隔开，且所述第二掺杂区位于所述第一P型阱区和所述第二P型阱区之间，分别与所述第一P型阱区和所述第二P型阱区部分交叠，并位于所述第一P型阱区和所述第二P型阱区的下部；

分别形成位于所述第一N型阱区和所述第二N型阱区中的第一N+区域和第二N+区域；以及

形成位于所述第一掺杂区上部且位于所述第二掺杂区上方的P+区域。

7.根据权利要求6所述的用于静电防护的晶体管结构的制造方法，其特征在于，还包括：

形成所述晶体管结构的第一阴极、第二阴极和阳极，其中，所述第一阴极和所述第二阴极分别与所述第一N+区域和所述第二N+区域连接；所述阳极与所述P+区域连接。

8.根据权利要求7所述的用于静电防护的晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述晶体管结构在正向工作时，所述P+区域、位于所述第二掺杂区上方的所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和位于所述第二掺杂区下方的所述第一掺杂区之间形成穿通电流。

9.根据权利要求6所述的用于静电防护的晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述第一N型阱区与所述第一P型阱区相邻，所述第二N型阱区与所述第二P型阱区相邻。