[发明专利]一种电流传感器芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010011821.0 申请日: 2020-01-07
公开(公告)号: CN111106232A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 刘明;关蒙萌;胡忠强;周子尧;朱家训 申请(专利权)人: 珠海多创科技有限公司
主分类号: H01L43/02 分类号: H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22;H01L43/12;G01R15/20;G01R33/09
代理公司: 广东朗乾律师事务所 44291 代理人: 杨焕军
地址: 519000 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流传感器 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种电流传感器芯片,其特征在于,包括:

基底;

设置于所述基底上的电流导体,所述电流导体通过连接电极与外部被测电流源相连;

设置于所述基底上的磁阻传感单元,所述磁阻传感单元对称设置于所述电流导体的两侧,所述磁阻传感单元通过输出电极输出检测信号。

2.如权利要求1所述的电流传感器芯片,其特征在于:所述电流导体包括偶数段相互平行的导体段,所述导体段之间首尾相连,且相邻的导体段之间的距离大于所述电流导体的宽度。

3.如权利要求1或2所述的电流传感器芯片,其特征在于:所述磁阻传感单元包括钉扎层、自由层和非磁层,所述非磁层位于钉扎层和自由层之间;所述钉扎层的磁化方向垂直于芯片表面,所述自由层的磁化方向平行于芯片表面。

4.如权利要求1所述的电流传感器芯片,其特征在于:所述磁阻传感单元和所述电流导体之间设置有绝缘层。

5.如权利要求1所述的电流传感器芯片,其特征在于:所述磁阻传感单元为TMR单元或GMR单元。

6.如权利要求1至5任一项所述的电流传感器芯片的制备方法,其特征在于,步骤如下:

提供基底;

在所述基底上沉积磁阻传感单元;

在所述基底上沉积第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述磁阻传感单元及基底的外露表面;

在所述第一绝缘层上沉积电流导体;

在所述第一绝缘层上沉积第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述电流导体及第一绝缘层的外露表面;

在绝缘层上分别形成贯穿至所述电流导体上表面和所述磁阻传感单元上表面的通孔;

在所述通孔内沉积电极层,分别形成电流导体的连接电极以及磁阻传感单元的输出电极。

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