[发明专利]一种不同层间距二硫化钼纳米材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010011958.6 申请日: 2020-01-07
公开(公告)号: CN111099658A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 何璇;张蕾;胡献刚;周启星 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 天津耀达律师事务所 12223 代理人: 张耀
地址: 300350 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 不同 间距 二硫化钼 纳米 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种不同层间距二硫化钼纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1:将钼源和硫源加入到去离子水中,搅拌得分散均匀的淡蓝色透明溶液;

步骤2:将上述混合溶液置于聚四氟乙烯高压反应釜中进行反应;

步骤3:停止反应后,待体系自动降温到室温,开釜,将反应混合液倒入离心管中,自然沉淀,水洗,冷冻干燥得到产物。

2.根据权利要求1所述不同层间距二硫化钼纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤1中所述钼源为钼酸铵;所述硫源为硫脲。

3.根据权利要求1所述的不同层间距二硫化钼纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤2中,将混合溶液转移至50mL密闭聚四氟乙烯高压反应釜中,加热温度为220-235℃,加热时间为24小时。

4.根据权利要求1所述的不同层间距二硫化钼纳米材料的制备方法,其特征在于:步骤3中,用水洗三次。

5.根据权利要求1所述的不同层间距二硫化钼纳米材料的制备方法,其特征在于:真空冷冻干燥前,对所述溶液进行冷冻处理得到冻结物,之后将冻结物放入冷冻干燥机中。

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