[发明专利]一种基于金属电沉积的电致变发射率器件及制备方法

权利要求书

1.一种基于金属电沉积的电致变发射率器件，其特征在于，从上到下依次包括工作电极、电解质层和对电极；

所述工作电极包括基片和金属薄膜，所述基片的下侧沉积有金属薄膜；所述金属薄膜中的金属为钌、铑、钯、锇、铱、铂、钇、锆、铌、钼、锝、铪、钽、钨、铼和金中的一种；

所述电解质层包括多孔隔膜和电解质，所述电解质浸润在所述多孔隔膜中；所述电解质包括含金属离子的电致变色材料和溶剂，所述金属离子为能够实现可逆电沉积和溶解的金属离子且所述金属离子的金属与所述金属薄膜用金属不同；所述电解质还包括电化学调节剂和助剂；所述电化学调节剂为含有金属离子的盐，且所述金属离子还原所需的电势低于所述含金属离子的电致变色材料中金属离子还原所需的电势。

2.如权利要求1所述的基于金属电沉积的电致变发射率器件，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为2～30nm。

3.如权利要求1所述的基于金属电沉积的电致变发射率器件，其特征在于，所述工作电极的方块电阻为10～1000Ω/□。

4.如权利要求1所述的基于金属电沉积的电致变发射率器件，其特征在于，所述基片的材质为氟化钡、氟化钙、氟化镁、氟化锂、硒化锌、硫化锌、碲化钙、硅、锗、氧化铝、氧化硅、氧化锆、氧化钇、氧化镁、氮化硅、金刚石、氮氧化铝、尖晶石、砷化镓、磷化镓、磷化铟和硫系玻璃中的一种。

5.如权利要求1所述的基于金属电沉积的电致变发射率器件，其特征在于，所述电解质层的厚度为10～2000μm。

6.如权利要求1所述的基于金属电沉积的电致变发射率器件，其特征在于，所述含金属离子的电致变色材料为包含可电沉积金属离子的盐；

所述助剂为氯化物、碘化物、溴化物、吡啶、咪唑中的一种；

所述溶剂为水、有机溶剂、离子液体、聚离子液体和低共熔溶剂中的一种。

7.一种如权利要求1～6任一项所述基于金属电沉积的电致变发射率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：选择基片，并对基片进行清洗、干燥；

S2：在干燥后的基片的一侧直接沉积金属薄膜，得到工作电极；

S3：配制电解质，并用所述电解质浸润多孔隔膜，得到电解质层；

S4：在基体的一侧沉积导电层，得到对电极；

S5：将S2得到的工作电极沉积有金属薄膜的一侧与S3得到的电解质层一侧叠置，将S4得到的对电极沉积有导电层一侧与S3得到的电解质层另一侧叠置，并封住叠置结构的边缘，得到基于金属电沉积的电致变发射率器件。

8.如权利要求7所述的基于金属电沉积的电致变发射率器件的制备方法，其特征在于，

所述S1中，清洗、干燥的方法为：依次用蒸馏水、乙醇、丙酮对基片进行清洗，并在氮气流下干燥；

所述S2中，沉积方法为物理气相沉积法或化学气相沉积法；

所述S3中，将含金属离子的电致变色材料、电化学调节剂、助剂和溶剂混合配制电解质，并用所述电解质浸润多孔隔膜，得到电解质层。