[发明专利]一种铌酸锂光波导器件及其制备方法

权利要求书

1.一种铌酸锂光波导器件，其特征在于：从上往下依次为空气、铌酸锂薄膜、BCB和光学衬底；光波导芯层为脊型的铌酸锂薄膜，厚度为300nm～1um，宽度1μm～20μm，长度5～15mm其四周由空气和BCB包裹。

2.如权利要求1所述铌酸锂光波导器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、对铌酸锂基片进行离子注入，并在基片一面制备一层苯并环丁烯BCB；

步骤2、然后将步骤1离子注入后的铌酸锂基片BCB层一侧与光学衬底键合；

步骤3、将步骤2键合后的铌酸锂基片退火，通过退火剥离制得铌酸锂薄膜。

步骤4、将步骤3所得铌酸锂薄膜通过光刻掩膜的方式在铌酸锂薄膜上外延生长Cr掩模，利用DRIE对铌酸锂薄膜刻蚀出波导形状，最后利用Cr腐蚀液洗掉Cr掩模，留下直波导；即可制得，光波导芯层为铌酸锂薄膜，四周由空气和BCB包裹的铌酸锂光波导器件。

3.如权利要求2所述的铌酸锂光波导器件的制备方法，其特征在于：所述离子注入深度为300nm～2um，注入离子能量为150～1000KeV。

4.如权利要求2所述的铌酸锂光波导器件的制备方法，其特征在于：所述离子注入选用He离子或B离子，注入深度为800nm，注入离子能量为300KeV。

5.如权利要求2所述的铌酸锂光波导器件的制备方法，其特征在于：所述苯并环丁烯BCB层，在匀胶台以转速2000r/min～5000r/min均匀旋涂，厚度范围为0.2um-2um。

6.如权利要求2所述的铌酸锂光波导器件的制备方法，其特征在于：所述铌酸锂基片为任意切型。

7.如权利要求2所述的铌酸锂光波导器件的制备方法，其特征在于：所述外延生长的Cr膜厚度300nm～1um，利用等离子体DRIE对铌酸锂薄膜进行刻蚀形成脊型波导，刻蚀的厚度为300nm～1um，宽度1μm～20μm，长度5～15mm。