[发明专利]冷却设备及待冷却件的冷却方法

说明书

本申请提供了冷却设备及待冷却件的冷却方法。其中，冷却设备包括冷却装置，惰性气体进气装置，以及排气装置。其中，冷却装置具有冷却空间。惰性气体进气装置连接冷却装置，惰性气体进气装置用于向冷却空间内通入惰性气体。排气装置连接冷却装置，排气装置用于排出冷却空间内的气体。通过在冷却设备中增设惰性气体进气装置，利用惰性气体进气装置来向冷却空间内通入惰性气体，而冷却空间内原本的空气可从排气装置中排出。最后导致当处于高温的待冷却件进入冷却空间时，待冷却件的周缘均为惰性气体。由于惰性气体不与待冷却件进行反应，且待冷却件周缘不存在氧气，因此待冷却件便无法与氧气发生反应从而生成氧化层，有效地保护了待冷却件。

技术领域

本申请属于芯片生产技术领域，具体涉及冷却设备及待冷却件的冷却方法。

背景技术

在将晶圆制备成半导体芯片的过程中需要将多晶硅表面进行预处理以去除多晶硅表面的氧化硅层，从而使硅单质暴露出来，来提高芯片的性能。当在高温的条件下去除氧化硅层后，还需进入冷却设备进行冷却。但现有技术中冷却设备内充满了空气，因此还处于高温下的多晶硅表面又会与冷却设备内的空气中的氧气进行反应，又重新生成氧化硅层，影响芯片的性能。

发明内容

鉴于此，本申请第一方面提供了一种冷却设备，所述冷却设备包括：

冷却装置，所述冷却装置具有冷却空间；

惰性气体进气装置，所述惰性气体进气装置连接所述冷却装置，所述惰性气体进气装置用于向所述冷却空间内通入惰性气体；以及

排气装置，所述排气装置连接所述冷却装置，所述排气装置用于排出所述冷却空间内的气体。

本申请第一方面提供的冷却设备，通过在冷却设备中增设惰性气体进气装置，并使惰性气体进气装置连接冷却装置，这样便可利用惰性气体进气装置来向冷却空间内通入惰性气体，而冷却空间内原本的空气可从排气装置中排出。最后导致当处于高温的待冷却件进入冷却空间时，待冷却件的周缘均为惰性气体。由于惰性气体不与待冷却件进行反应，且待冷却件周缘不存在氧气，因此待冷却件便无法与氧气发生反应从而生成氧化层，有效地保护了待冷却件。

其中，所述冷却设备还包括装夹装置，所述装夹装置设于所述冷却空间内，所述装夹装置用于装夹待冷却件。

其中，所述装夹装置具有装夹面，所述装夹面用于装设所述待冷却件，所述冷却设备还包括旋转装置，所述旋转装置连接所述装夹装置，所述旋转装置用于使所述装夹装置沿平行于所述装夹面的方向旋转。

其中，所述惰性气体进气装置朝向所述平行于所述装夹面的方向通入所述惰性气体。

其中，所述冷却设备还包括反应装置与缓冲装置；所述反应装置具有反应空间，所述缓冲装置具有缓冲空间，所述缓冲空间的气压大于所述冷却空间的气压，且小于所述反应空间的气压。

其中，所述冷却装置包括外壳与移动部，所述外壳连接所述移动部，所述移动部可相对于所述外壳进行移动以打开或闭合所述冷却空间；所述冷却设备还包括密封件，所述密封件对应所述移动部的周缘设置，且所述密封件的相对两侧分别连接所述外壳与所述缓冲装置，所述密封件、所述冷却装置与所述缓冲装置构成密封空间。

本申请第二方面提供了一种待冷却件的冷却方法，所述冷却方法包括：

提供待冷却件与冷却设备，所述冷却设备包括冷却装置、惰性气体进气装置、以及排气装置；其中，所述冷却装置具有冷却空间，所述惰性气体进气装置连接所述冷却装置，所述惰性气体进气装置用于向所述冷却空间内通入惰性气体；所述排气装置连接所述冷却装置，所述排气装置用于排出所述冷却空间内的气体；

将所述待冷却件移动至所述冷却空间，向所述冷却空间内通入所述惰性气体。